[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第1区域；

第2区域，包围所述第1区域的外周；以及

环状的密封环，形成于所述第2区域，

所述半导体装置的特征在于，

所述第2区域具有：

SOI基板，包括第1导电类型的半导体基板、所述半导体基板上的埋入绝缘膜及所述埋入绝缘膜上的半导体层；以及

层间绝缘膜，设置于所述半导体层上，

所述密封环具有：

环状的电极部，埋设于所述层间绝缘膜，并且由导电膜构成；

所述半导体层；以及

所述埋入绝缘膜，

所述电极部与所述半导体层电连接，

所述密封环还具有第1阱，该第1阱形成于所述半导体基板，并具有从所述半导体基板与所述埋入绝缘膜的界面起的第1深度，

所述半导体层是与所述第1导电类型不同的第2导电类型，

所述第1阱是所述第1导电类型，

所述密封环还具有包围所述第1阱的底面的所述第2导电类型的第1埋入阱。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述半导体层的表层部上设置有硅化物层。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第1区域和所述第2区域之间，元件分离部形成于所述半导体基板，而且所述元件分离部比所述埋入绝缘膜厚，并且

所述埋入绝缘膜下方的所述半导体基板具有多于1个的PN结部。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述密封环的一部分，所述电极部不与所述半导体层连接。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第1区域中，形成有模拟电路，

在接近所述模拟电路的所述密封环的一部分，所述电极部不与所述半导体层连接。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述密封环的一部分，未形成所述埋入绝缘膜，所述半导体层与所述半导体基板连接。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体基板在俯视时是四边形形状，

所述密封环沿着所述半导体基板的周缘设置，

在接近所述半导体基板的角部的所述密封环的一部分，未形成所述埋入绝缘膜，所述半导体层与所述半导体基板连接。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述电极部包括：

环状的第1密封环电极，设置于所述第1区域侧；

环状的第2密封环电极，与所述第1密封环电极隔开，设置于与所述第1区域相反的一侧；以及

环状的第3密封环电极，与所述第1密封环电极及所述第2密封环电极隔开，设置于所述第1密封环电极与所述第2密封环电极之间，

在所述第1密封环电极以及所述第3密封环电极的正下方，配置所述埋入绝缘膜，在所述第2密封环电极的正下方，未配置所述埋入绝缘膜。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1密封环电极以及所述第3密封环电极与在所述埋入绝缘膜上的所述半导体层的表层部上设置的第1硅化物层连接，

所述第2密封环电极与设置于所述半导体基板的表层部上的第2硅化物层连接。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

在设置所述第1密封环电极以及所述第3密封环电极的区域与设置所述第2密封环电极的区域之间，设置有元件分离部。