[发明专利]单晶钙钛矿有机金属卤化物薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种单晶钙钛矿有机金属卤化物薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)前驱液制备：将BX₂和AX加入到相对应的溶剂中制成0.001-5mol/L浓度的ABX₃钙钛矿前驱液，并将前驱液在30℃-150℃下搅拌0.5-48h至均匀澄清；(2)单晶钙钛矿有机金属卤化物薄膜的制备：在制备好电子传输层/空穴传输层的基片上放置限制单晶钙钛矿生长的模具，用于调控单晶钙钛矿生长的空间，并将基片放入容器中，将ABX₃钙钛矿前驱液逐渐加入到模具空间中，将容器放置在80-200℃加热面板上加热，生长过程中间隔在容器中加入抗溶剂，生长1-96h后，取出基片；将基片以500-6000r/s的速度旋转10-60s，旋干薄膜，放置到80-200℃的加热面板上退火5-120min。

2.根据权利要求1所述的单晶钙钛矿有机金属卤化物薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)的ABX₃钙钛矿前驱液中A类阳离子为甲胺阳离子(CH₃NH₃⁺)、甲脒阳离子(HC(NH₂)₂⁺)和铯离子(Cs⁺)中的一种或多种混合阳离子；B类金属离子为锗离子(Ge²⁺)、锡离子(Sn²⁺)和铅离子(Pb²⁺)中一种或多种混合金属离子；X卤族离子为碘(I^-)、溴(Br^-)和氯(Cl^-)中一种或多种混合卤族元素。

3.根据权利要求1所述的单晶钙钛矿有机金属卤化物薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)采用的溶剂为二甲基甲酰胺(DMF)、γ-丁内酯(GBL)和二甲基亚砜(DMSO)中一种或多种混合物。

4.根据权利要求1所述单晶钙钛矿有机金属卤化物薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(2)抗溶剂包括甲苯、氯苯、二氯甲烷、异丙醇和乙醚中的一种或多种混合物。

5.根据权利要求1所述单晶钙钛矿有机金属卤化物薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(2)中在电子传输层/空穴传输层上钙钛矿单晶薄膜可控生长厚度为0.001-1000μm。