[发明专利]一种紫外透明导电薄膜及其制造方法

权利要求书

1.一种氧化铟基透明导电薄膜，其特征在于，该氧化铟基透明导电薄膜包括基底材料、氧化铟籽晶层和氧化铟主体层；所述氧化铟籽晶层附着在基底材料的表面，所述氧化铟主体层附着在氧化铟籽晶层的表面；

所述氧化铟基透明导电薄膜的电阻率小于5×10^-4Ω·cm；

所述氧化铟基透明导电薄膜具有4.1～4.7eV的光学带隙；

所述氧化铟基透明导电薄膜厚度为20nm～1μm；

所述氧化铟基透明导电薄膜在300nm处的透过率大于50％；

所述氧化铟籽晶层和氧化铟主体层含有掺杂源锡，锡与铟的原子数量比例为1:100～1:4；

所述氧化铟基透明导电薄膜采用MOCVD外延生长的方法获得。

2.根据权利要求1所述的氧化铟基透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

1)基底预处理：对基底材料的表面进行化学清洗和炉内高温处理；

2)氧化铟籽晶层生长：基底材料上生长出预期晶粒取向的氧化铟籽晶薄层；

3)氧化铟主体层生长：在氧化铟籽晶层的基础上利用多晶薄膜竞争生长模式进行生长，获得所需表面形貌的氧化铟主体层；

所述步骤2)和3)中氧化铟籽晶层和主体层生长过程中，需提供有机金属源、氧源和掺杂源；

所述有机金属源为三甲基铟，氧源为氧气；

所述掺杂源为四(二甲氨基)锡。

3.根据权利要求2所述的氧化铟基透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤1)中的化学清洗包括有机清洗和无机酸碱清洗处理，所述炉内高温处理为在MOCVD内部保持300℃～900℃，压力为3～100Torr，处理1～60min。

4.根据权利要求2所述的氧化铟基透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中氧化铟籽晶层的生长温度为200℃～800℃，生长压力为3～100Torr，厚度为2～20nm。

5.根据权利要求2所述的氧化铟基透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中氧化铟主体层的生长温度为300℃～900℃，生长压力为3～100Torr，厚度为10nm～1μm。