[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有N沟道型MOS晶体管，该N沟道型MOS晶体管包含下述部分：

场氧化膜和栅氧化膜，它们被设置于半导体衬底上；

栅极，其被设置于所述栅氧化膜的上方，该栅极的一端被配置成延伸至所述场氧化膜上；

N型高浓度源区域，其被设置于所述栅极的另一端；

沟道区域，其被所述场氧化膜的一个端部和所述N型高浓度源区域夹着，且设置于所述栅氧化膜的下方；N型高浓度漏区域，其被设置于所述场氧化膜的处于所述一个端部的相反侧的另一个端部；以及

多个电场缓和区域，它们处于所述场氧化膜的下方，且被设置于所述N型高浓度漏区域的周围，

其特征在于，

所述多个电场缓和区域具有：

纵向的电场缓和区域，其具有从所述N型高浓度漏区域朝向下方减小的3种不同的杂质浓度；

横向的电场缓和区域，其具有从所述N型高浓度漏区域朝向所述沟道区域减小的3种不同的杂质浓度；以及

杂质浓度最低的电场缓和区域，其与所述纵向的电场缓和区域和所述横向的电场缓和区域相接，

所述多个电场缓和区域是N型中浓度扩散区域与P型阱区域相重叠的区域、和第1N型阱区域与第2N型阱区域相重叠的区域，

所述P型阱区域包含所述沟道区域，

所述第1N型阱区域与所述P型阱区域相邻，

所述第2N型阱区域与所述P型阱区域及所述第1N型阱区域相重叠，并且所述第2N型阱区域形成为比所述第1N型阱区域浅，

所述N型中浓度扩散区域与所述P型阱区域、所述第1N型阱区域及所述第2N型阱区域相重叠，并且所述N型中浓度扩散区域比所述第2N型阱区域浅且形成于所述场氧化膜的正下方。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第2N型阱区域不与延伸到所述场氧化膜上的所述栅极重叠。

3.一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置具有N沟道型MOS晶体管，该N沟道型MOS晶体管包含下述部分：

场氧化膜和栅氧化膜，它们被设置于半导体衬底上；

栅极，其被设置于所述栅氧化膜的上方，该栅极的一端被配置成延伸至所述场氧化膜上；

N型高浓度源区域，其被设置于所述栅极的另一端；

沟道区域，其被所述场氧化膜的一个端部和所述N型高浓度源区域夹着，且设置于所述栅氧化膜的下方；

N型高浓度漏区域，其被设置于所述场氧化膜的处于所述一个端部的相反侧的另一个端部；以及

多个电场缓和区域，它们处于所述场氧化膜的下方，且被设置于所述N型高浓度漏区域的周围，

其特征在于，

所述半导体装置的制造方法包含下述工序：

在半导体衬底的表面形成P型阱区域和第1N型阱区域的工序；

以比所述第1N型阱区域浅的方式形成第2N型阱区域的工序；

在场氧化膜的形成区域的下方离子注入N型杂质，并使该N型杂质氧化扩散而同时形成所述场氧化膜和N型中浓度扩散区域的工序；

在不存在所述场氧化膜的区域形成沟道区域的工序；

在所述沟道区域的表面形成栅氧化膜的工序；

在所述栅氧化膜的上方形成栅极的工序；

将所述栅极和所述场氧化膜作为掩膜，离子注入高浓度的N型杂质而形成N型高浓度源区域和N型高浓度漏区域的工序；

层间绝缘膜形成工序；

接触孔形成工序；

配线工序；以及

保护膜形成工序，

所述多个电场缓和区域是N型中浓度扩散区域与P型阱区域相重叠的区域、和第1N型阱区域与第2N型阱区域相重叠的区域，

所述P型阱区域包含所述沟道区域，

所述第1N型阱区域与所述P型阱区域相邻，

所述第2N型阱区域与所述P型阱区域及所述第1N型阱区域相重叠，并且所述第2N型阱区域形成为比所述第1N型阱区域浅，

所述N型中浓度扩散区域与所述P型阱区域、所述第1N型阱区域及所述第2N型阱区域相重叠，并且所述N型中浓度扩散区域比所述第2N型阱区域浅且形成于所述场氧化膜的正下方。