[发明专利]一种自偏置内匹配功率管

权利要求书

1. 一种自偏置内匹配功率管，其特征是包括输入匹配电路、P0管芯、输出匹配电路和自偏置电路；所述输入匹配电路负责将所述管芯的输入阻抗匹配至50Ω；所述输出匹配电路负责将所述管芯的输出阻抗匹配至50Ω；所述自偏置电路采用单电源供电，外接漏电压V_d，R_S电阻上的分压Vs与栅极的压差即为Vgs，所述Vgs压差是自偏置电路中的R_S电阻上的Vs分压与自偏置电路的栅极的压差；自偏置电路的源极串联一路并联的RC电路，R_S电阻给器件提供瞬态保护，漏极电流的增加或者减少会自动调整栅极偏压，使器件电流保持不变，C1旁路电容实现极低阻抗，减弱源极焊盘负反馈的影响，P0管芯采用3.6mm GaN HEMT管芯，制作在SiC衬底上。

2.根据权利要求1所述的一种自偏置内匹配功率管，其特征是输入匹配电路采用内匹配电路技术，将匹配电路元件分别制作在陶瓷基片上，采用一级L型匹配电路将管芯的输入阻抗匹配至50Ω，输入匹配电路包括C0电容、L0电感和R0电阻，所述C0电容的一端接20P隔直电容和L0电感的一端，C0电容的另一端接地，所述L0电感的另一端接所述管芯的栅极和R0电阻的一端，R0电阻的另一端接地，输入信号通过20P隔直电容的一端接入。

3.根据权利要求1所述的一种自偏置内匹配功率管，其特征是输出匹配电路采用内匹配电路技术，将匹配电路元件分别制作在陶瓷基片上，采用一级L型匹配电路将管芯的输出阻抗匹配至50Ω；匹配电路包括L1电感、L2电感和C2电容；所述L2电感的一端接漏极电压和1000P旁路电容，L2电感的另一端接管芯的漏极和L1电感的一端，L1电感的另一端接C2电容和80P隔直电容的一端，80P隔直电容的另一端接输出。

4.根据权利要求1所述的一种自偏置内匹配功率管，其特征是自偏置电路在P0管芯的源极串联一路并联的RC电路到地，自偏置电路包括C1电容、R1电阻，C1电容的一端接管芯的源极和R1电阻，C1电容的另一端接地，R1电阻的一端接管芯的源极和C1电容，R1电阻的另一端接地。

5.根据权利要求2所述的一种自偏置内匹配功率管，其特征是C0电容、L0电感采用微带结构，为分布式元件，C0电容制作在介电常数85、厚度180μm的陶瓷基片上，L0电感制作在介电常数9.6、厚度380μm的陶瓷基片上。

6.根据权利要求2所述的一种自偏置内匹配功率管，其特征是R0电阻为薄膜电阻，制作在陶瓷基片上。

7.根据权利要求3所述的一种自偏置内匹配功率管，其特征是C2电容、L1电感、L2电感采用微带结构，为分布式元件，C2电容制作在介电常数85、厚度180μm的陶瓷基片上，L1电感、L2电感制作在介电常数9.6、厚度380μm的陶瓷基片上。

8.根据权利要求4所述的一种自偏置内匹配功率管，其特征是C1电容为一个MOM电容，采用焊料烧结在所述管芯的正下方。

9.根据权利要求4所述的一种自偏置内匹配功率管，其特征是R1电阻为薄膜电阻，制作在陶瓷基片上。