[发明专利]对工艺/温度和电源变化具有低灵敏度的HV电压比较器

权利要求书

1.一种用于检测高电压域中的电压差(V_A-V_B)的电压比较器，其中，所述比较器接收输入电压(V_输入)并且将其与同样在输入中接收到的基准电压(V_基准)进行比较，其中，从所述比较器(COMP)出来的输出电压(V_输出)在所述输入电压(V_输入)大于所述基准电压(V_基准)时取逻辑值1并且在所述输入电压(V_输入)小于或等于所述基准电压(V_基准)时取逻辑值0，其中，所述比较器(COMP)包括低电压部件(M_1-4，M_5-6)和单个高电压部件(M₇)，其中所述低电压部件(M_1-4，M_5-6)包括一组高侧部件(M_1-4)和一组低侧部件(M_5-6)，并且所述单个高电压部件(M₇)被布置在所述高侧部件(M_1-4)与所述低侧部件(M_5-6)之间。

2.根据权利要求1所述的电压比较器，其中，所述低电压部件(M_1-4，M_5-6)是MOS晶体管并且所述单个高电压部件(M₇)是高电压PMOS。

3.根据权利要求2所述的电压比较器，其中，所述高侧部件(M_1-4)是PMOS晶体管，并且所述低侧部件(M_5-6)是NMOS晶体管。

4.根据权利要求3所述的电压比较器，其中，所述晶体管对(M₁-M₃，M₂-M₄，M₅-M₆)形成电流镜。

5.根据权利要求4所述的电压比较器，其中，所述晶体管(M₁，M₂)被选择为使得其具有相同的几何尺寸并且属于相同的类型。

6.根据权利要求5所述的电压比较器，其中，所述比较器(COMP)还包括用相同类型的部件制成的两个电阻器(R₁，R₂)，从而使得在其中流动的电流(I₁，I₂)以与温度和工艺参数变化相同的方式改变。

7.根据权利要求6所述的电压比较器，其中，所述两个电阻器(R₁，R₂)被选择为同样具有相同的值和几何结构。

8.根据权利要求7所述的电压比较器，其中，所述比较器(COMP)的开关阈值(V_阈值)仅取决于所述高电压域中的所述电压差(V_A-V_B)并且与所述温度和工艺变化无关。