[发明专利]一种多离子源溅射生产薄膜的装置及方法

权利要求书

1.一种多离子源溅射生产薄膜的装置，其特征在于，包括真空腔室(1)及置于真空腔室(1)内的靶材(3)、离子源(4)和产品平台(2)；靶材(3)及离子源(4)均为多个且一一对应，靶材(3)及离子源(4)的类型能调整且两者均位于产品平台(2)的上方，产品平台(2)能旋转；每个离子源(4)用于向对应的靶材(3)溅射离子源束流，产品平台(2)用于对从所有靶材(3)脱离的材料分子沉积成薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种多离子源溅射生产薄膜的装置，其特征在于，产品平台(2)上还设有能自转的若干小平台，从所有靶材(3)脱离的材料分子在所有的小平台上沉积成薄膜。

3.根据权利要求1所述的一种多离子源溅射生产薄膜的装置，其特征在于，还包括用于摆动靶材(3)的摆动装置。

4.根据权利要求1所述的一种多离子源溅射生产薄膜的装置，其特征在于，还包括用于调节离子源(4)角度的角度调节装置。

5.根据权利要求1所述的一种多离子源溅射生产薄膜的装置，其特征在于，还包括用于调节各个离子源(4)功率的功率调节装置。

6.根据权利要求1至5任一项所述的一种多离子源溅射生产薄膜的装置，其特征在于，所有靶材(3)为相同类型的靶材，所有离子源(4)为相同类型的离子源。

7.根据权利要求1至5任一项所述的一种多离子源溅射生产薄膜的装置，其特征在于，靶材(3)包括多种类型的靶材(3)，一种类型的靶材(3)对应一种类型的离子源(4)。

8.一种多离子源溅射生产薄膜的方法，使用权利要求6所述的装置，其特征在于，包括如下步骤：

S1.将所有靶材(3)设置为相同类型的靶材(3)，将所有离子源(4)设置为与该种靶材(3)类型相对应的离子源(4)；

S2.所有离子源(4)同时向各自对应的靶材(3)溅射离子源束流，离子源束流轰击到靶材(3)表面，使构成靶材(3)的材料分子脱离靶材(3)并沉积到产品平台(2)形成单层薄膜。

9.一种多离子源溅射生产薄膜的方法，使用权利要求7所述的装置，其特征在于，包括如下步骤：

S1.将所有靶材(3)设置为包括多种类型的靶材(3)，将每个离子源(4)设置为与需溅射靶材(3)类型相对应的离子源(4)；

S2.依次使各个类型的离子源(4)向对应类型的靶材(3)溅射离子源束流，离子源束流轰击到靶材(3)表面，使构成靶材(3)的材料分子脱离靶材(3)并沉积到产品平台(2)形成多层薄膜。

10.一种多离子源溅射生产薄膜的方法，使用权利要求7所述的装置，其特征在于，包括如下步骤：

S1.将所有靶材(3)设置为包括多种类型的靶材(3)，将每个离子源(4)设置为与需溅射靶材(3)类型相对应的离子源(4)；

S2.同时使各个类型的离子源(4)向对应类型的靶材(3)溅射离子源束流，离子源束流轰击到靶材(3)表面，使构成靶材(3)的材料分子脱离靶材(3)并沉积到产品平台(2)形成单层混合薄膜。