[发明专利]用于在衬底处理系统中对准测量装置的系统和方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年3月29日提交的美国临时申请No.62/314,651的权益。

本公开涉及与本申请同时提交的名称为“SYSTEMS AND METHODS FORPERFORMING EDGE RING CHARACTERIZATION”的、代理人案号为No.3935-2US的美国临时申请，该申请要求于2016年3月29日提交的美国临时申请No.62/314659的优先权。上面引用的申请的全部公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及用于测量衬底处理系统中的边缘环的系统和方法。

背景技术

这里提供的背景描述是为了一般地呈现本公开的背景的目的。在该背景技术部分中描述的程度上的目前提名的发明人的工作和在申请时可能无资格另外作为现有技术的描述的方面既未清楚地，也未隐含地被承认作为针对本公开的现有技术。

衬底处理系统可以用于蚀刻衬底(诸如半导体晶片)上的膜。衬底处理系统通常包括处理室、气体分配装置和衬底支撑件。在处理期间，衬底被布置在衬底支撑件上。可以将不同的气体混合物引入到处理室中，并且射频(RF)等离子体可以用于激活化学反应。

衬底处理室可以包括被布置为测量布置在衬底支撑件上的衬底的各种特性的测量装置(例如，光谱反射计，诸如激光光谱反射计，或LSR，或另一光测量装置)。例如，测量装置可以直接定位在衬底支撑件上方以在衬底处向下引导信号。感测装置(例如，电荷耦合装置(charge-coupled device)或CCD、光电二极管等)被布置成感测从衬底的表面反射的信号。反射信号的特性指示衬底的各种特性。

发明内容

在衬底处理系统中的衬底支撑件包括布置成支撑衬底的内部部分，围绕所述内部部分的边缘环，以及控制器。为了选择性地使所述边缘环接合所述衬底并且使所述衬底倾斜，所述控制器控制至少一个致动器以升高和降低边缘环与以升高和降低衬底支撑件的内部部分中的至少一种。当衬底倾斜时，控制器基于从衬底的表面反射的信号来确定衬底处理系统中的测量装置的对准。

一种用于确定衬底处理系统中的测量装置的对准的方法，其包括将衬底布置在衬底支撑件的内部部分上，并通过升高和降低边缘环与升高和降低衬底支撑件的内部部分中的至少一种选择性地使布置在衬底支撑件的内部部分周围的边缘环接合衬底并使衬底倾斜。该方法进一步包括当衬底倾斜时，基于从衬底的表面反射的信号来确定测量装置的对准。

具体而言，本发明的一些方面可以阐述如下：

1.一种衬底处理系统中的衬底支撑件，所述衬底支撑件包括：

内部部分，其布置成支撑衬底；

边缘环，其围绕所述内部部分；以及

控制器，

为了选择性地使所述边缘环接合所述衬底并使所述衬底倾斜，所述控制器控制至少一个致动器以(i)升高和降低所述边缘环与(ii)升高和降低所述衬底支撑件的所述内部部分中的至少一种，以及

当所述衬底倾斜时，所述控制器基于从所述衬底的表面反射的信号，确定所述衬底处理系统中的测量装置的对准。

2.根据条款1所述的衬底支撑件，其中所述衬底包括从所述衬底的边缘向外延伸的至少一个接触指，并且其中所述至少一个接触指被布置成接合所述边缘环。

3.根据条款2所述的衬底支撑件，其中，所述接触指被布置成接合所述边缘环的内径。

4.根据条款1所述的衬底支撑件，其中，为了确定所述边缘环何时接合所述衬底，所述控制器监测从所述衬底的表面反射的信号。

5.根据条款1所述的衬底支撑件，其中，为了确定所述测量装置的对准，所述控制器确定从所述衬底的表面反射的信号的强度。

6.根据条款1所述的衬底支撑件，其中，所述测量装置包括布置在所述衬底支撑件上方的光谱反射计(SR)。

7.根据条款1所述的衬底支撑件，其还包括：

多个销，其定位成支撑所述边缘环；以及

所述至少一个致动器，其中所述至少一个致动器包括响应于所述控制器并且布置成选择性地升高和降低所述多个销中的相应销的多个致动器。

8.根据条款1所述的衬底支撑件，其还包括：

所述至少一个致动器，其中所述至少一个致动器响应于所述控制器并且布置成选择性地升高和降低所述内部部分。

9.一种用于确定衬底处理系统中的测量装置的对准的方法，所述方法包括：

将衬底布置在衬底支撑件的内部部分上；