[发明专利]鳍式场效应管及其形成方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有多个分立的鳍部；

在所述鳍部露出的半导体衬底上形成第一隔离层，所述第一隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁，且所述第一隔离层顶部低于所述鳍部顶部；

在所述第一隔离层露出的鳍部侧壁上形成保护层；

在所述鳍部之间形成第二隔离层，所述第二隔离层覆盖所述第一隔离层的顶部以及所述保护层的侧壁；

在形成所述第二隔离层之后，去除位于所述第二隔离层之间的部分厚度或全部厚度的鳍部，形成开口，且所述保护层位于所述开口侧壁上；

对所述开口进行清洗处理；

对所述开口进行清洗处理之后，形成填充满所述开口的沟道层，所述沟道层的材料与鳍部的材料不同；

在形成所述沟道层之后，去除部分厚度的第二隔离层，使得剩余第二隔离层顶部高于所述沟道层底部；

去除部分厚度的第二隔离层之后，去除剩余第二隔离层露出的保护层。

2.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的步骤包括：

在所述第一隔离层上形成保护膜，且所述保护膜保形覆盖高于所述第一隔离层顶部的鳍部；

去除位于所述第一隔离层顶部以及鳍部顶部的保护膜，形成所述保护层。

3.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在沿平行于所述半导体衬底表面且垂直于鳍部延伸方向上，所述保护层的厚度为：20埃至60埃。

4.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的工艺包括：原子层沉积工艺。

5.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，对所述开口进行清洗处理的工艺包括：SiCoNi工艺。

6.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，形成所述沟道层的步骤包括：

在所述开口中形成沟道外延层，所述沟道外延层顶部高于所述第二隔离层顶部；

对所述沟道外延层进行平坦化处理，去除高于所述第二隔离层顶部的沟道外延层，形成所述沟道层。

7.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述沟道层的材料为SiGe、Ge或者InAs。

8.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料硬度大于所述第一隔离层的材料硬度；所述保护层的材料硬度大于所述第二隔离层的材料硬度。

9.如权利要求8所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料包括SiN、SiBCN、SiOCN或者SiCN中的一种或者多种。

10.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，形成所述第二隔离层的步骤包括：

形成覆盖所述鳍部的第二隔离膜，所述第二隔离膜顶部高于所述鳍部顶部；

对所述第二隔离膜进行平坦化处理，露出鳍部顶部，形成所述第二隔离层。

11.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在沿垂直于半导体衬底表面的方向上，所述沟道层的高度为：5nm至8nm。

12.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，去除部分厚度的第二隔离层的步骤中，去除所述第二隔离层的厚度在300埃至700埃范围内。

13.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，去除剩余第二隔离层露出的保护层的工艺包括：干法刻蚀工艺。

14.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底包括用于形成NMOS器件的第一区域和用于形成PMOS器件的第二区域。