[发明专利]一种低温磁控溅射制备低电阻率氮化钛薄膜的方法

权利要求书

1.一种低温磁控溅射制备低阻氮化钛薄膜方法，其特征在于具体步骤如下：

1)采用单面抛光的基片作为衬底，选用超高真空磁控溅射设备，将经过RCA标准清洗的基片放置于加热台面上，调整基片与靶材之间的距离；

2)盖上真空腔盖，抽取本底真空，通入氮气和氩气，选取直流磁控溅射模式，进行磁控溅射；

3)磁控溅射后，停止通入氮气和氩气，关闭分子泵，待降温至100至150度，关闭机械泵，打开放气阀，待加热台面温度降至常温时取出样品，获得所述低阻氮化钛薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种低温磁控溅射制备低阻氮化钛薄膜方法，其特征在于：所述步骤2)进行磁控溅射时调整溅射功率、工作电压、腔内真空度、溅射薄膜时的温度以及氮气氩气流量比例和总流量使得最终制成所述低阻氮化钛薄膜，并通过控制溅射功率和溅射时间控制薄膜的厚度。

3.根据权利要求1所述的一种低温磁控溅射制备低阻氮化钛薄膜方法，其特征在于：所述低阻氮化钛薄膜的电阻率小于50μohm/cm。

4.根据权利要求1所述的一种低温磁控溅射制备低阻氮化钛薄膜方法，其特征在于：所述的基片采用单晶硅片或者玻璃片。

5.根据权利要求1所述的一种低温磁控溅射制备低阻氮化钛薄膜方法，其特征在于：所述靶材为金属钛，纯度为99.999％。

6.根据权利要求1所述的一种低温磁控溅射制备低阻氮化钛薄膜方法，其特征在于：所述步骤2)中本底真空度为1×10^-5Pa。

7.根据权利要求1所述的一种低温磁控溅射制备低阻氮化钛薄膜方法，其特征在于：所述步骤2)通入的氮气流量和氩气流量比为4：6，氮气流量为20sccm，氩气流量为30sccm，总流量为50sccm，并且真空腔内保持6×10^-2Pa的真空度。

8.根据权利要求1所述的一种低温磁控溅射制备低阻氮化钛薄膜方法，其特征在于：所述步骤2)磁控溅射时基片温度在400-450摄氏度范围。

9.根据权利要求1所述的一种低温磁控溅射制备低阻氮化钛薄膜方法，其特征在于：所述步骤2)磁控溅射时溅射功率为80到120W，工作电压为250到350V。

10.根据权利要求1所述的一种低温磁控溅射制备低阻氮化钛薄膜方法，其特征在于：所述步骤2)在进行磁控溅射前，对靶材进行预溅射，功率为100W，时长为10分钟。