[发明专利]复合涂层手术剪及其制备方法

权利要求书

1.一种复合涂层手术剪，其包括：手术剪；所述手术剪的表面依次附着渗氮层、物理气相沉积PVD涂层和抗菌纳米粒子改性的PVD涂层，其中所述PVD涂层为包括AlCrN、CrAlN、CrN、TiN、AlTiN、TiAlN、TiAlCrN、TiSiN、TiSiAlN、TiAlWN或其混合物的纳米硬质涂层。

2.根据权利要求1所述的复合涂层手术剪，其中所述抗菌纳米粒子包括银纳米粒子、铜纳米粒子或其混合物。

3.根据权利要求1或2所述的复合涂层手术剪，其中所述抗菌纳米粒子在所述抗菌纳米粒子改性的PVD涂层中的原子百分比为0.1％-25％。

4.根据权利要求1或2所述的复合涂层手术剪，其中所述抗菌纳米粒子的粒径为1nm-100nm。

5.根据权利要求1或2所述的复合涂层手术剪，其中所述PVD涂层的厚度为1μm-15μm，表面硬度为1500HV-5000HV。

6.根据权利要求1或2所述的复合涂层手术剪，其中所述抗菌纳米粒子改性的PVD涂层的厚度为1μm-15μm。

7.根据权利要求1或2所述的复合涂层手术剪，其中所述渗氮层的厚度为0.01mm-0.5mm。

8.一种复合涂层手术剪的制备方法，其包括如下步骤：

提供手术剪；对所述手术剪进行离子渗氮处理以在所述手术剪的表面形成渗氮层；

采用物理气相沉积PVD工艺在所述渗氮层的表面沉积包括AlCrN、CrAlN、CrN、TiN、AlTiN、TiAlN、TiAlCrN、TiSiN、TiSiAlN、TiAlWN或其混合物的纳米硬质涂层以形成PVD涂层；

将抗菌纳米粒子导入物理气相沉积PVD工艺炉中，采用物理气相沉积PVD工艺在所述PVD涂层的表面形成抗菌纳米粒子改性的PVD涂层。

9.根据权利要求8所述的复合涂层手术剪的制备方法，其中所述抗菌纳米粒子包括银纳米粒子、铜纳米粒子或其混合物。

10.根据权利要求8或9所述的复合涂层手术剪的制备方法，其中所述抗菌纳米粒子在所述抗菌纳米粒子改性的PVD涂层中的原子百分比为0.1％-25％。

11.根据权利要求8或9所述的复合涂层手术剪的制备方法，其中所述抗菌纳米粒子的粒径为1nm-100nm。

12.根据权利要求8或9所述的复合涂层手术剪的制备方法，其中采用PVD工艺形成所述PVD涂层的步骤包括：首先通入纯度为99.999％的氩气，在偏压为800-1000V的条件下清洁所述渗氮层的表面；然后停止通入氩气，通入纯度为99.999％的氮气，在偏压为80-100V的条件下，打开包含用于组成所述PVD涂层的金属的靶，弧电流为120A-200A，采用PVD工艺在清洁后的所述渗氮层的表面沉积形成所述PVD涂层。

13.根据权利要求8或9所述的复合涂层手术剪的制备方法，其中采用PVD工艺形成所述抗菌纳米粒子改性的PVD涂层的步骤包括：继续通入纯度为99.999％的氮气，在偏压为80-100V的条件下，保持包含用于组成所述PVD涂层的金属的靶的开启状态，同时导入所述抗菌纳米粒子，弧电流为120A-200A，采用PVD工艺在所述PVD涂层的表面沉积形成所述抗菌纳米粒子改性的PVD涂层。