[发明专利]薄膜晶体管液晶显示面板的制造方法在审
申请号: | 201710199321.2 | 申请日: | 2017-03-29 |
公开(公告)号: | CN106707651A | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 肇庆端州湖水机电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 526020 广东省肇庆市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 液晶显示 面板 制造 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管液晶显示面板的制造方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
A、形成彩膜基板;
B、形成薄膜晶体管阵列基板,所述薄膜晶体管阵列基板包括第二基板、扫描线组合、第一绝缘层、数据线组合、第二绝缘层、像素、屏蔽电极、第二配向膜层,所述像素包括薄膜晶体管开关和像素电极;
C、将所述彩膜基板、所述薄膜晶体管阵列基板叠加组合为一体;
D、将液晶层设置于所述彩膜基板和所述薄膜晶体管阵列基板之间;
所述步骤B包括:
b1、在所述第二基板上设置所述扫描线组合,所述扫描线组合包括至少两扫描线;
b2、在所述第二基板上设置所述薄膜晶体管开关,所述薄膜晶体管开关包括栅极、半导体层、源极、漏极,所述栅极设置在所述第二基板上,所述栅极与所述扫描线相连,所述半导体层包括非晶硅、多晶硅、铟镓锌氧化物中的至少一种,所述薄膜晶体管开关的结构为顶栅结构或底栅结构,相邻两个所述像素的所述薄膜晶体管开关的结构分别为顶栅结构、底栅结构;
b3、在所述第二基板上设置所述数据线组合,所述数据线组合包括至少两数据线;
b4、在所述第二基板上设置所述像素电极,其中,所述像素电极包括主干电极和分支电极,所述主干电极与所述分支电极相连,所述分支电极所在的直线与所述主干电极所在的直线具有预定夹角,所述预定夹角处于5度至85度的范围内,所述主干电极包括第一主干部和第二主干部,所述第一主干部和所述第二主干部将像素区域划分为至少四个像素分区,所述分支电极设置在所述像素分区中,所述分支电极的一端与所述第一主干部或所述第二主干部相连,所述分支电极的另一端朝远离所述第一主干部或所述第二主干部的方向延伸,在所述像素分区中,相邻两所述分支电极平行;
b5、在所述像素电极的至少一侧设置所述屏蔽电极;
b6、在所述第二基板上设置所述第二配向膜层。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示面板的制造方法,其特征在于,所述步骤b5为:
在相邻两个像素之间的区域上设置所述屏蔽电极;
所述屏蔽电极用于保护与所述屏蔽电极对应的像素中的液晶分子免受相邻的另一个像素的电场作用的影响。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管液晶显示面板的制造方法,其特征在于,所述步骤b5为:
将所述屏蔽电极设置在所述像素电极的四周。
4.根据权利要求2或3所述的薄膜晶体管液晶显示面板的制造方法,其特征在于,所述屏蔽电极还用于防止相邻的两个像素中的一者对另一者产生的电场干扰。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示面板的制造方法,其特征在于,所述屏蔽电极在垂直于所述第二基板并且自所述第二基板指向所述像素电极的方向上与所述像素电极分别位于不同的层别。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管液晶显示面板的制造方法,其特征在于,所述屏蔽电极在垂直于所述第二基板并且自所述第二基板指向所述像素电极的方向上位于所述像素电极的上方或下方。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示面板的制造方法,其特征在于,所述预定夹角处于35度至56度的范围内。
8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示面板的制造方法,其特征在于,所述预定夹角处于5度至35度的范围内。
9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示面板的制造方法,其特征在于,所述预定夹角处于56度至85度的范围内。
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