[发明专利]磁性传感器有效
申请号: | 201710199615.5 | 申请日: | 2017-03-24 |
公开(公告)号: | CN107229020B | 公开(公告)日: | 2020-02-18 |
发明(设计)人: | M.莫茨;G.沃蒂舍尔;T.沃思 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | G01R33/02 | 分类号: | G01R33/02;G01R33/07;G01R33/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 申屠伟进;杜荔南 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁性 传感器 | ||
本发明涉及磁性传感器。描述了一种用于检测目标对象的特性的传感器系统。传感器系统可以包括:传感器,诸如磁性传感器,配置成感测磁场分量并且基于所感测的磁场分量而生成对应的磁场分量信号。传感器系统可以包括:处理器,配置为基于第三磁场分量来计算磁场角度。例如,磁场角度可以通过确定多个磁场分量的平方和来计算。目标对象的特性可以基于所计算的磁场角度来确定。
技术领域
本文中描述的实施例大体涉及传感器,包括具有改进的切换相位准确度的磁性传感器。
背景技术
磁性设备可以包括磁阻传感器,所述磁阻传感器是基于一个或多个磁阻技术——包括例如隧道磁阻(TMR)、巨磁阻(GMR)、各向异性磁阻(AMR)和/或如将由(一个或多个)相关技术领域中的技术人员所理解的一个或多个其它磁阻技术——所述一个或多个磁阻技术可以笼统地称为xMR技术。
磁性传感器还可以包括霍尔效应传感器,所述霍尔效应传感器是基于霍尔效应原理响应于磁场进行操作的固态电子设备。霍尔效应原理是如下现象:在存在磁场的情况下横跨导电主体生成电压差。常规霍尔效应设备可以包括被称为霍尔片的平面结构,所述平面结构配置为生成对应于所施加的磁场的输出信号(例如,电压或电流)。
附图说明
并入本文中并且形成说明书的部分的附图图示了本公开的实施例,并且与描述一起进一步用于解释实施例的原理并且使得相关技术领域中的技术人员能够做出并使用实施例。
图1A图示了根据本公开的示例性实施例的传感器系统。
图1B图示了根据本公开的示例性实施例的传感器系统。
图2图示了针对各种气隙布置的示例磁场信号。
图3A和3B图示了根据本公开的示例性实施例的针对各种气隙布置所生成的示例磁场分量信号。
图4图示了根据本公开的示例性实施例的针对各种气隙布置所生成的示例磁场角度信号。
图5图示了根据本公开的示例性实施例的传感器系统。
图6图示了根据本公开的示例性实施例的传感器系统。
图7图示了根据本公开的示例性实施例的传感器系统。
将参照附图描述本公开的示例性实施例。第一次出现元件所在的图典型地通过对应参考标号中的(一个或多个)最左数位来指示。
具体实施方式
在以下描述中,阐述众多具体细节以便提供对本公开的实施例的透彻理解。然而,本领域技术人员将显而易见的是,包括结构、系统和方法的实施例可以在没有这些具体细节的情况下实践。本文中的描述和表示是由本领域中的有经验人员或技术人员用来向本领域中的其他技术人员最有效地传达他们工作实质的常规手段。在其它实例中,尚未详细描述公知的方法、进程、组件和电路以便避免使本公开的实施例不必要地模糊。
磁性设备可以用于磁性传感器中(包括例如凸轮轴传感器中)的旋转方向、旋转位置和/或旋转速度确定。尽管本公开在描述磁性传感器时包括对凸轮轴传感器的讨论,但是本公开不限于凸轮轴传感器。本公开的教导可以应用于如将由相关技术领域中的普通技术人员所理解的其它类型的磁性传感器和/或磁性传感器环境。
图1A图示了根据本公开的示例性实施例的传感器系统100。传感器系统100可以包括与指示器对象105间隔开的磁性传感器封装110。传感器封装110可以包括一个或多个传感器115和一个或多个磁体130。在示例性实施例中,传感器封装110包括夹在两个或更多磁体130之间的一个或多个传感器115。
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