[发明专利]用于无内部稳压源集成电路的接反限流结构及方法

权利要求书

1.用于无内部稳压源集成电路的接反限流结构，其特征在于：包括设于无源器件支路处的第一接反限流电路、设于NPN管支路处的第二接反限流电路、设于NMOS管支路处的第三接反限流电路，和设于PMOS管支路处的第四接反限流电路；第一接反限流电路包括用于去掉N型隔离岛的导电位或将N型隔离岛的导电位与无源器件支路处无源器件电位较高一端进行连接的导通通路；第二接反限流电路包括设于NPN管支路与电源间的PNP管，该PNP管的发射极接入电源，该PNP管的集电极接入NPN管支路处NPN管的集电极，该PNP管的基极通过一第一电阻接地；第三接反限流电路包括设于NMOS管支路与电源间的第一PMOS管，第一PMOS管的漏端接入电源，第一PMOS管的源端接入NMOS管支路处NMOS管的漏端，第一PMOS管的栅极通过一第二电阻接地，第一PMOS管的衬底接入自身的源端；第四接反限流电路包括设于PMOS管支路与电源间的第二PMOS管，第二PMOS管的漏端接入电源，第二PMOS管的源端接入PMOS管支路处PMOS管的漏端，第二PMOS管的栅极通过一第三电阻接地，第二PMOS管的衬底接入自身的源端。

2.用于无内部稳压源集成电路的接反限流方法，其在该无内部稳压源集成电路的每个支路处均单独地设置接反限流电路；对于无源器件支路，通过一导通支路将N型隔离岛的导电位去掉或与无源器件支路处无源器件电位较高一端进行连接；对于NPN管支路，在该NPN管支路的NPN管与电源间设置一PNP管，并将该PNP管的发射极接入电源，将该PNP管的集电极接入NPN管支路处NPN管的集电极，将该PNP管的基极通过一第一电阻接地；

对于NMOS管支路，在该NMOS管支路与电源间设置一第一PMOS管，并将第一PMOS管的漏端接入电源，将第一PMOS管的源端接入NMOS管支路处NMOS管的漏端，将第一PMOS管的栅极通过一第二电阻接地，将第一PMOS管的衬底接入自身的源端；对于PMOS管支路，在该PMOS管支路与电源间设置第二PMOS管，并将第二PMOS管的漏端接入电源，将第二PMOS管的源端接入PMOS管支路处PMOS管的漏端，将第二PMOS管的栅极通过一第三电阻接地，将第二PMOS管的衬底接入自身的源端。