[发明专利]太阳能电池减反钝化膜及其制备方法及太阳能电池片

权利要求书

1.一种太阳能电池减反钝化膜，其特征在于，包括：

第一层，形成于硅片衬底上，所述第一层为SiOx层；

第二层，形成于所述第一层上，所述第二层为SiNx层；

第三层，形成于所述第二层上，所述第三层为SiONx层；

第四层，形成于所述第三层上，所述第四层为SiOx层。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池减反钝化膜，其特征在于，所述第一层的折射率为1.6～2.3，所述第二层的折射率为1.9～2.3，所述第三层的折射率为1.9～2.1，所述第四层的折射率为1.4～1.6。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池减反钝化膜，其特征在于，所述第一层的膜厚为2～10nm，所述第二层的膜厚为45～55nm，所述第三层的膜厚为5～20nm，所述第四层的膜厚为15～35nm。

4.一种权利要求1-3任一项所述的太阳能电池减反钝化膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：在硅片衬底的正面形成第一层；

S2：在所述第一层上形成第二层；

S3：在所述第二层上形成第三层；

S4：在所述第三层上形成第四层。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一层、所述第二层、所述第三层、以及所述第四层的形成均采用等离子体增强化学气相沉积法PECVD沉积而成。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在步骤S1中，射频功率为1300～2000W，管内压强为190～230Pa，沉积时间为60～65s，通入反应气体N₂O/SiH₄流量比为4.3～4.7。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在步骤S2中，射频功率为2200～4000W，管内压强为200～260Pa，沉积时间360～400s，通入反应气体NH₃/SiH₄流量比为10～11。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在步骤S3中，射频功率为1700～2700W，管内压强为180～230Pa，沉积时间为160～200s，通入反应气体NH₃：N₂O：SiH₄流量比为(5～5.3):(5～5.3):1。

9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在步骤S4中，射频功率为1300～2000W，管内压强为170～220Pa，沉积时间为150～240s，通入反应气体N₂O/SiH₄流量比为8.5～13。

10.一种太阳能电池片，其特征在于，包括权利要求1-3任一项所述的太阳能电池减反钝化膜。