[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一基板，包含一第一表面与一第一侧壁；

一波导，包含沿着该第一表面配置的一第一部分，以及沿着该第一侧壁配置且耦合该第一部分的一第二部分；以及

一反射件，位于该波导上方；

其中该反射件包含一反射表面，位于该第一部分与该第二部分之间，并且经配置以将光自该第一部分导引至该第二部分。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该波导位于该基板与该反射件之间，以及光可沿着该波导且于该波导内传送。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该基板的该第一表面与该基板的该第一侧壁实质正交，或是该波导的该第一部分与该波导的该第二部分实质正交。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该基板包含延伸穿过该基板的一插塞，以及该波导的该第二部分位于该插塞内。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该反射件包含一突出部，朝向该第二部分突出至该第一部分中，以及该突出部包含位于其上的该反射表面。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其中该突出部位于该插塞上方且向该插塞突出。

7.如权利要求5所述的半导体结构，其中该突出部位于该波导的该第一部分与该第二部分之间。

8.如权利要求5所述的半导体结构，其中该波导包含一凹部，以及该突出部位于该凹部内。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其中该波导为透明的或是可透光的。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其中该波导包含玻璃、二氧化硅、或空气。

11.如权利要求1所述的半导体结构，其中该反射件包含反射或金属材料。

12.一种半导体结构的制造方法，包括：

提供一基板，包含一第一表面与一第二表面，该第一表面与该第二表面对立；

形成一第一凹部，自该第一表面向该第二表面延伸；

形成一波导，位于该第一表面上方且位于该第一凹部内；

形成一第二凹部，位于该波导上方且向该第一凹部延伸；

形成一反射件，位于该波导上方且位于该第二凹部内；以及

自该第二表面研磨该基板，以暴露位于该第一凹部内的该波导的一部分。

13.如权利要求12所述的制造方法，其中该第二凹部位于该第一凹部上方。

14.如权利要求12所述的制造方法，其中在研磨该基板之后，形成延伸穿过该基板的一插塞。

15.如权利要求12所述的制造方法，其中该反射件包含位于该第二凹部内的一突出部，该突出部包含一反射表面，该反射表面与该第二凹部的一侧壁交界。

16.如权利要求12所述的制造方法，其中该第二凹部向该第一凹部变窄。

17.如权利要求12所述的制造方法，其中形成该反射件包含配置一反射或金属材料于该波导上方且于该第二凹部内。

18.如权利要求17所述的制造方法，其中通过溅镀或电镀，配置该反射或金属材料。

19.如权利要求12所述的制造方法，其中形成该波导包含配置一透明或可透光的材料于该基板上方且于该第一凹部内。

20.如权利要求19所述的制造方法，其中通过旋涂或化学气相沉积，配置该透明或可透光的材料。