[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201710202615.6 | 申请日： | 2017-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108666208A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 方周;胡华勇;刘畅;潘周君 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介质层 半导体结构 光阻图形 阻挡层 硬掩膜层 光阻 重做 介质层表面 杂质物质 氮离子 基底 损伤 暴露 清晰 | ||
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底上形成介质层，所述介质层含氮；
在所述介质层上形成硬掩膜层；
在所述硬掩膜层上形成阻挡层；
在所述阻挡层上形成第一光阻图形层；
去除所述第一光阻图形层；
在所述阻挡层上形成第二光阻图形层；
以所述第二光阻图形层为掩膜刻蚀所述阻挡层和硬掩膜层，形成硬掩膜图形；
以所述硬掩膜图形为掩膜图形化所述介质层。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第一光阻图形层的工艺为湿法工艺或灰化工艺。
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述灰化工艺采用的气体包括O2或O3。
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用第一湿法刻蚀工艺形成所述第二光阻图形层，所述第一湿法刻蚀工艺采用的溶液中含有氢离子。
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以所述第二光阻图形层为掩膜刻蚀所述阻挡层和硬掩膜层，形成硬掩膜图形的步骤包括：
以所述第二光阻图形层为掩膜刻蚀所述阻挡层，形成阻挡图形层；去除第二光阻图形层；以所述阻挡图形层为掩膜刻蚀所述硬掩膜层，形成硬掩膜图形。
6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，图形化所述介质层的步骤中，去除所述阻挡图形层。
7.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，图形化所述硬掩膜层的步骤采用第二湿法刻蚀工艺，所述第二湿法刻蚀工艺采用的溶液中含有氢离子。
8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二湿法刻蚀工艺的步骤包括：采用磷酸溶液进行湿法刻蚀，且所述磷酸溶液的质量分数在80％～90％的范围内，所述第二湿法刻蚀工艺的温度为140℃～160℃。
9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以所述硬掩膜图形为掩膜图形化所述介质层的步骤包括：采用第三湿法刻蚀工艺，所述第三湿法刻蚀工艺采用的溶液中含有氢离子。
10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三湿法刻蚀工艺的步骤包括：采用磷酸溶液进行湿法刻蚀，且所述磷酸溶的质量分数在80％～90％的范围内，所述第三湿法刻蚀工艺的温度在140℃～160℃。
11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述介质层的材料为含氮的氧化硅。
12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为氧化硅。
13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度在30埃～50埃的范围内。
14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材料为氮化硅或氮氧化硅。
15.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述硬掩膜层的厚度在50埃～100埃的范围内。
16.一种半导体结构，其特征在于，包括：
基底；
位于所述基底上的介质层，所述介质层含氮；
位于所述介质层上的硬掩膜层；
位于所述硬掩膜层上的阻挡层；
位于所述阻挡层上的第二光阻图形层；所述第二光阻图形层是针对第一光阻图形层重做而形成的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
