[发明专利]一种硅差压芯片及内置该硅差压芯片的微差压传感器

权利要求书

1.一种硅差压芯片，其特征在于：包括下止挡层(14)、上止挡层(15)以及位于下止挡层(14)和上止挡层(15)中间的可移动的测量隔膜(12)，所述下止挡层(14)和测量薄膜(12)之间及上止挡层(15)和测量薄膜(12)之间均采用硅硅键合连接；

所述上止挡层(15)内侧设置有上止挡层凸起(15.1)，下止挡层(14)内侧设置有下止挡层凸起(14.1)，上止挡层凸起(15.1)与测量隔膜(12)之间设置有间隙a，下止挡层凸起(14.1)与测量薄膜(12)之间设置有间隙b。

2.根据权利要求1所述一种硅差压芯片，其特征在于：所述上止挡层(15)和下止挡层(14)上下位置对称分布。

3.根据权利要求1或2所述一种硅差压芯片，其特征在于：所述上止挡层凸起(15.1)和下止挡层凸起(14.1)上下位置对称分布。

4.根据权利要求1所述一种硅差压芯片，其特征在于：所述间隙a和间隙b大小一致。

5.一种带有该硅差压芯片的微差压传感器，其特征在于：包括差压基座(3)，所述差压基座(3)的两端分别为差压基座正向端(3.1)和差压基座负向端(3.2)，所述差压基座正向端(3.1)设置有可传递差压的正腔隔离膜片(1)，差压基座负向端(3.2)设置有可传递差压的负腔隔离膜片(4)，所述正腔隔离膜片(1)与差压基座(3)内部的正腔介质通道(2)连接，负腔隔离膜片(4)与差压基座(3)内部的负腔介质通道(7)连接，所述正腔介质通道(2)和负腔介质通道(7)中间设置有硅差压芯片(5)，差压基座(3)内部还设置有带负腔横孔介质通道(8)的芯片管座(6)，所述硅差压芯片(5)置于芯片管座(6)内。

6.根据权利要求5所述一种微差压传感器，其特征在于：所述正腔介质通道(2)内置正腔介质(13)，所述正腔介质(13)与正腔隔离膜片(1)导通。

7.根据权利要求5所述一种微差压传感器，其特征在于：所述负腔介质通道(7)内置负腔介质(11)，所述负腔介质(11)与负腔隔离膜片(4)导通。

8.根据权利要求6或7所述一种微差压传感器，其特征在于：所述正腔介质(13)和负腔介质(11)可以为硅油，氟油，植物油，白油中的任意一种。