[发明专利]半导体装置的形成方法

说明书

技术领域

本公开实施例涉及半导体装置的形成方法，尤其涉及虚置接点材料的处理步骤。

背景技术

半导体装置用于大量的电子装置中，比如电脑、手机、与其他装置。半导体装置包含集成电路，其形成于半导体晶片上的方法可为沉积多种材料的薄膜于半导体晶片上，并图案化材料的薄膜以形成集成电路。集成电路包含场效晶体管如金氧半晶体管。

半导体产业的目标之一为持续缩小个别场效晶体管的尺寸并增加个别场效晶体管的速度。为达到这些目标，已研究并实施鳍状场效晶体管或多栅极晶体管。然而随着鳍状场效晶体管的新装置结构与持续缩小，发现新的挑战。

发明内容

本公开一实施例提供的半导体装置的形成方法，包括形成凹陷以露出晶片上的多个半导体鳍状物；形成虚置接点材料于凹陷中，且虚置接点材料含碳；以一或多道烘烤步骤硬化虚置接点材料，且烘烤步骤硬化虚置接点材料；将虚置接点材料的第一部分置换为层间介电物；以及将虚置接点材料的第二部分置换为多个接点，且接点电性耦接至半导体鳍状物的源极/漏极区。

附图说明

图1是一例中，鳍状场效晶体管的三维图。

图2至图6、图7A至图7B、图8A至图8B、图9A至图9B、图10A至图10B、图11A至图11B、图12A至图12B、图13A至图13B、图14A至图14C、图15A至图15C、图16A至图16C、图17A至图17C、图18A至图18C、图19A至图19C、图20A至图20C、图21A至图21C、与图22A至图22C是一些实施例中，鳍状场效晶体管于制程的中间阶段的剖视图与三维图。

其中，附图标记说明如下：

A-A、B-B、C-C 剖线

30 鳍状场效晶体管

32、50 基板

34、54 隔离区

36、52、56 鳍状物

38 栅极介电物

40 栅极

42、44 源极/漏极区

50B 第一区

50C 第二区

58 虚置介电层

60 虚置栅极层

62 遮罩层

70 虚置栅极

72 遮罩

80 栅极密封间隔物

82 磊晶的源极/漏极区

86 栅极间隔物

88 虚置层间介电层

94、110、114 凹陷

98、102 栅极介电层

100、104 栅极

112 硬遮罩

116 虚置接点材料

118 底抗反射涂层

120 中间硬遮罩层

122 顶光致抗蚀剂层

124、128 开口

126 层间介电层

130 置换接点

具体实施方式

下述内容提供的不同实施例或实例可实施本公开的不同结构。特定构件与排列的实施例是用以简化本公开而非局限本公开。举例来说，形成第一构件于第二构件上的叙述包含两者直接接触，或两者之间隔有其他额外构件而非直接接触。此外，本公开的多种例子中可重复标号及/或符号，但这些重复仅用以简化与清楚说明，不代表不同实施例及/或设置之间具有相同标号及/或符号的单元之间具有相同的对应关系。

此外，空间性的相对用语如“下方”、“其下”、“较下方”、“上方”、“较上方”或类似用语可用于简化说明某一元件与另一元件在附图中的相对关系。空间性的相对用语可延伸至以其他方向使用的元件，而非局限于附图方向。元件亦可转动90°或其他角度，因此方向性用语仅用以说明附图中的方向。