[发明专利]稳压型灭弧直流电路

权利要求书

1.一种稳压型灭弧直流电路，其特征在于，包括：电源、三相半控桥整流电路、第一级触发电路、反馈电阻、第二级触发电路、滤波电容及稳压控制电路，其中电源的ABC三相通电后分别与三相半控桥整流电路的晶体管相导通，所述三相半控桥整流电路经过第一级触发电路、第二级触发电路及反馈电阻对三相直流电进行半控整流，并通过将整流后的半波直流电由滤波电容滤波，最后通过稳压控制电路输出直流电。

2.根据权利要求1所述的稳压型灭弧直流电路，其特征在于，所述相半控桥整流电路包括晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3、二极管D2、二极管D4及二极管D6，其中电源的A相通电后分别与晶体管Q1的基极、二极管D2的负极相导通，电源的B相通电后分别与晶体管Q2的基极、二极管D4的负极相导通，电源的C相通电后分别与晶体管Q3的基极、二极管D6的负极相导通。

3.根据权利要求1或2所述的稳压型灭弧直流电路，其特征在于，所述第一级触发电路包括二极管D1、电容C1、电容C2、电阻R1、二极管D7、晶体管Q7、二极管D9、二极管D5、晶体管Q8、电容C3、电阻R15、电阻R16、电容C4及稳压二极管ZD3，其中二极管D1的正极与电源A相相连通，二极管D1的负极分别与电容C1的一端、晶体管Q7的基极、电阻R1的一端相连通，电阻R1的另一端与稳压控制电路的三极管Q5的集电极相联通；电容C1的另一端通过电容C2与二极管D7相连通，二极管D7与晶体管Q7的发射极相连通，二极管D9的正极与电源B相相连通，二极管D9的负极分别与电容C3的、晶体管Q8的基极、二极管D5相连通，二极管D5与电源的C相联通，二极管D5通过电阻R15、电阻R16与稳压控制电路的晶体管Q4的集电极相连通，所述晶体管Q8的发射极通过稳压二极管ZD3、电容C4接地。

4.根据权利要求3所述的稳压型灭弧直流电路，其特征在于，所述反馈电阻包括电阻R2、电阻R4、电阻R6、电阻R9及电阻R5，所述电阻R2设置于晶体管Q1的集电极与发射极之间，R4设置于晶体管Q2的集电极与发射极之间，R6设置于晶体管Q3的集电极与发射极之间，电阻R9一端与晶体管Q7的发射极相连通，另一端与二极管D8的正极相连，电阻R5一端与晶体管Q8的发射极相连，另一端与晶体管Q7的集电极相连。

5.根据权利要求3或4所述的稳压型灭弧直流电路，其特征在于，所述第二级触发电路包括二极管D3、二极管D8、电阻R3及二极管D10，其中二极管D3的正极与晶体管Q7的集电极相连，二极管D3的负极与晶体管Q1的发射极相连，二极管D8的正极与电阻R9相连，负极与电阻R3的一端相连，电阻R3的另一端与晶体管Q2的发射极相连，二极管D10的正极分别与晶体管Q8的集电极、电阻R5相连，二极管D10的负极与晶体管Q3的发射极相连。

6.根据权利要求5所述的稳压型灭弧直流电路，其特征在于，所述稳压控制电路包括晶体管Q4、晶体管Q5、晶体管Q6、电阻R12、电阻R4、电阻R17、电阻R8、电阻R10、电阻R11、电阻R13、电容C5、稳压二极管ZD1及稳压二极管ZD2，其中晶体管Q4的集电极与电阻R16、稳压二极管ZD3的正极相连通，晶体管Q4的发射极接地，晶体管Q4的基极与电阻R12相连，电阻R12一路与稳压二极管ZD1的正极相连，一路通过电阻R10与晶体管 Q6的集电极相连，一路通过电阻R17接地，一路通过电阻R14与晶体管Q5的基极相连，晶体管Q5的发射极接地，晶体管Q5的集电极与电阻R1相连通，所述稳压二极管ZD1的负极通过电阻R8与晶体管 Q2的集电极相连，所述稳压二极管ZD1的负极还通过电阻R8与晶体管Q6的发射极相连，所述晶体管Q6的发射极与基极之间设置有电阻R11，所述电阻R11两端并联有电容C5，所述电容C5通过电阻R13、稳压二极管ZD2接地。