[发明专利]一种OLED像素结构、OLED基板及OLED模组在审
申请号: | 201710203715.0 | 申请日: | 2017-03-30 |
公开(公告)号: | CN106972044A | 公开(公告)日: | 2017-07-21 |
发明(设计)人: | 罗志猛;刘然;赵云;张为苍 | 申请(专利权)人: | 信利半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人: | 邓义华,陈卫 |
地址: | 516600 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 像素 结构 模组 | ||
技术领域
本发明涉及OLED领域,尤其涉及一种OLED像素结构、OLED基板及OLED模组。
背景技术
OLED由于超薄、显示优美及可柔性显示等特性被誉为“梦幻显示器”。欲达到梦幻般美好的显示效果,相比高质量有机层的制作,完美的封装显得更为重要。由于OLED的有机层材料对水汽及氧气(尤其是水汽)极其敏感,在封装OLED时,不仅需要用框胶封边处理,还需要干燥剂。水汽不仅来自穿透玻璃及框胶的外部水汽,还包括从OLED器件内部释放出来的少量水汽;其中,OLED器件的内部水汽若能及时释放,则会被干燥剂吸收,若不能及时释放,则可能逐渐损伤有机材料,导致像素收缩、器件失效,特别是高温或高温可靠性测试中,水汽对像素造成的侵蚀更加严重。
矩阵像素结构的OLED中,在隔离层上沿COMMON方向设置有用于隔离金属阴极的若干条状阻隔壁,条状阻隔壁不仅用于隔离金属阴极,还能够将隔离层中的水汽从条状阻隔壁处释放出来并被干燥剂吸收;但是,在SEGMENT方向上,即与条状阻隔壁走向相垂直的方向上,隔离层中的水汽无法得到及时释放,会从SEGMENT方向上侵蚀像素中的有机材料。而异形像素结构的OLED由于无需隔离金属阴极,没有设置阻隔壁,因此隔离层中的水汽会从整个外围侵蚀像素中的有机材料。
发明内容
为了解决上述现有技术的不足,本发明提供一种OLED像素结构、OLED基板及OLED模组。该OLED像素结构通过设置若干块状阻隔壁,增加隔离层中的水汽的释放通道,使隔离层中的水汽能够及时释放出来,并被OLED模组中的干燥剂吸收,可以防止像素中的有机材料被水汽侵蚀,从而防止像素收缩和器件失效。
本发明所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现:
一种OLED像素结构,包括透明阳极、在所述透明阳极上隔离出矩阵像素区域的隔离层、在所述像素区域内的有机材料、在所述隔离层上隔离金属阴极的若干条状阻隔壁以及走向与所述若干条状阻隔壁相垂直的若干块状阻隔壁、在所述有机材料和隔离层上的金属阴极;相邻的块状阻隔壁之间的间距小于30μm。
一种OLED像素结构,包括透明阳极、在所述透明阳极上隔离出异形像素区域的隔离层、在所述像素区域内有机材料、在所述隔离层上包围所述有机材料的若干块状阻隔壁、在所述有机材料和隔离层上的金属阴极;相邻的块状阻隔壁之间的间距小于30μm。
进一步地,相邻的块状阻隔壁之间的间距小于或等于18μm。
进一步地,所述块状阻隔壁的宽度为8μm,且相邻的块状阻隔壁之间的间距为3μm。
进一步地,所述块状阻隔壁的形状为圆形、或者椭圆形、或者矩形、或者多边形。
进一步地,所述透明阳极为ITO。
进一步地,所述金属阴极为Al、或者Ca、或者Mg-Ag合金、或者ITO。
一种OLED基板,包括载体基板和设置在所述载体基板上的OLED器件,所述OLED器件包括若干上述的OLED像素结构。
进一步地,所述载体基板为玻璃基板、或者塑料基板、或者金属基板、或者聚酰亚胺、或者亚力克。
一种OLED模组,包括上述的OLED基板、与所述OLED基板相对的盖板、将所述OLED基板和盖板密封固定的框胶。
本发明具有如下有益效果:该OLED像素结构通过设置若干块状阻隔壁,增加隔离层中的水汽的释放通道,使隔离层中的水汽能够及时释放出来,并被OLED模组中的干燥剂吸收,可以有效防止像素中的有机材料受到水汽侵蚀,从而防止像素收缩和器件失效。
附图说明
图1为本发明提供的OLED的矩阵像素结构的示意图;
图2为图1所示的OLED的矩阵像素结构的A-A剖面图;
图3为图1所示的OLED的矩阵像素结构的A-A剖面图;
图4为本发明提供的OLED的异形像素结构的示意图;
图5为图4所示的OLED的异形像素结构的C-C剖面图;
图6为本发明提供的OLED基板的示意图;
图7为本发明提供的OLED模组的示意图;
图8为本发明提供的另一OLED模组的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进行详细的说明。
实施例1
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的