[发明专利]一种新型微缩化LED结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710203779.0 申请日: 2017-03-30
公开(公告)号: CN106876562B 公开(公告)日: 2020-03-24
发明(设计)人: 邵根荣;李阳 申请(专利权)人: 广东普加福光电科技有限公司
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50;H01L33/00;H01L27/15
代理公司: 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 代理人: 潘雯瑛
地址: 529000 广东省江*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 微缩 led 结构 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种新型微缩化LED结构,其特征在于:包括多个微缩化蓝光LED芯片和一个光转换膜;所述光转换膜覆盖于所述微缩化蓝光LED芯片表面;所述光转换膜包括一个透明基板、以及红色和绿色发光材料,所述光转换膜通过将所述红色和绿色发光材料涂覆于透明基板上而制得;所述红色和绿色发光材料与所述微缩化蓝光LED芯片通过所述透明基板隔开,并与所述微缩化蓝光LED芯片一一对应;

所述红色和绿色发光材料为CdSe型量子点,分别溶于体积比为1:1的甲苯和二氯苯的混合溶液中,并与光刻胶配成符合光刻工艺的红色和绿色量子点胶水配方,再通过光刻的方式涂覆于透明基板上;

或者,所述红色和绿色发光材料为钙钛矿量子点,其结构式为APbX3,其中,A=Cs、CH3NH3,X=Cl、Br或I,分别溶于体积比为2:1:2的甲苯、丁醇、氯苯的混合溶液中,并与光刻胶配成符合光刻工艺的红色和绿色量子点胶水配方,再通过光刻的方式涂覆于透明基板上。

2.根据权利要求1所述的新型微缩化LED结构,其特征在于:所述红色和绿色发光材料的红光发光波长为610~650nm、绿光发光波长为510~550nm。

3.根据权利要求2所述的新型微缩化LED结构,其特征在于:所述微缩化蓝光LED芯片的尺寸范围为2~20μm。

4.一种新型微缩化LED结构的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:

S1:将红色和绿色发光材料涂覆于一个透明基板上,制得光转换膜;包括如下步骤:

将红色和绿色量子点分别溶于甲苯和二氯苯的混合溶液中,其中甲苯和二氯苯的体积比为1:1,量子点在混合溶液中的质量分数为1%;再加入光刻胶,配成符合光刻工艺的红色和绿色量子点胶水配方;将配制完成的红色和绿色量子点胶水通过光刻的技术工艺,在透明基板上按照红、绿相间的方式,光刻形成精确的红色和绿色像素点点阵结构,从而得到一个基于量子点的红色和绿色光转换膜;所述红色和绿色发光材料为CdSe型量子点;

或者,将红色和绿色量子点分别溶于甲苯、丁醇、氯苯的混合溶液中,其中甲苯、丁醇、氯苯的体积比为2:1:2,量子点在混合溶液中的质量分数为1%;再加入光刻胶,配成符合光刻工艺的红色和绿色量子点胶水配方;将配制完成的红色和绿色量子点胶水通过光刻的技术工艺,在透明基板上按照红、绿相间的方式,光刻形成精确的红色和绿色像素点点阵结构,从而得到一个基于量子点的红色和绿色光转换膜;所述红色和绿色发光材料为钙钛矿量子点,所述钙钛矿量子点结构式为APbX3,其中,A=Cs、CH3NH3,X=Cl、Br或I;

S2:将磊晶完成的蓝光LED芯片转移至薄膜晶体管驱动面板上,制得多个微缩化蓝光LED芯片;

S3:将所述光转换膜覆盖于所述微缩化蓝光LED芯片表面,使所述红色和绿色发光材料与所述微缩化蓝光LED芯片通过所述透明基板隔开,并与所述微缩化蓝光LED芯片一一对应,然后进行封装,制得所述新型微缩化LED结构。

5.根据权利要求4所述的新型微缩化LED结构的制备方法,其特征在于:所述步骤S2中,首先将磊晶完成的蓝光LED芯片切割成微米级蓝光LED芯片,再将该微米级蓝光LED芯片单颗或规模化转移至薄膜晶体管驱动面板上,形成显示蓝色像素点的微缩化蓝光LED芯片。

6.根据权利要求4所述的新型微缩化LED结构的制备方法,其特征在于:所述步骤S2中,首先将磊晶完成的蓝光LED芯片通过物理或化学方法从基板剥离,再利用感应耦合等离子体蚀刻的方法将该蓝光LED芯片切割成微米级蓝光LED芯片,最后再将该微米级蓝光LED芯片键接于薄膜晶体管驱动面板上,形成显示蓝色像素点的微缩化蓝光LED芯片。

7.根据权利要求5或6所述的新型微缩化LED结构的制备方法,其特征在于:所述步骤S3中,将光转换膜上的红色和绿色像素点精确对应于微缩化蓝光LED芯片显示的蓝色像素点。

8.根据权利要求7所述的新型微缩化LED结构的制备方法,其特征在于:所述步骤S3中,采用硅胶、聚氨酯树脂、聚丙烯酸树脂、聚酯树脂中的一种或几种进行封装。

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