[发明专利]湿法腐蚀装置、湿法腐蚀方法和晶圆芯片在审
申请号: | 201710204087.8 | 申请日: | 2017-03-30 |
公开(公告)号: | CN106992135A | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
发明(设计)人: | 陆一峰;刘格;杨彦伟;刘胜宇;曾建武 | 申请(专利权)人: | 深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306 |
代理公司: | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙)11343 | 代理人: | 尚志峰,汪海屏 |
地址: | 518071 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 湿法 腐蚀 装置 方法 芯片 | ||
1.一种湿法腐蚀装置,其特征在于,包括:
壳体支架;
旋转组件,设于所述壳体支架上,所述旋转组件包括:
可旋转的安装盘,所述安装盘的放置面与铅垂线平行,所述放置面用于放置待进行湿法腐蚀的晶圆片。
2.根据权利要求1所述的湿法腐蚀装置,其特征在于,还包括:
喷洒组件,设于所述壳体支架上,所述喷洒组件与所述放置面相对设置,用于对所述待进行湿法腐蚀的晶圆片进行腐蚀液体的喷覆操作。
3.根据权利要求1所述的湿法腐蚀装置,其特征在于,所述旋转组件还包括:
电机,所述安装盘的旋转轴与所述电机的驱动轴相配适地连接;
调速器,与所述电机的驱动轴电连接,用于控制所述电机的驱动轴的转速,以调节所述安装盘的转速。
4.根据权利要求2所述的湿法腐蚀装置,其特征在于,还包括:
液源组件,连通于所述喷洒组件的喷头,所述液源组件用于盛放所述腐蚀液体。
5.根据权利要求1所述的湿法腐蚀装置,其特征在于,还包括:
抽真空组件,所述安装盘上设有吸附孔,所述抽真空组件连通至所述吸附孔,所述吸附孔用于吸附所述晶圆片。
6.根据权利要求1所述的湿法腐蚀装置,其特征在于,还包括:
卡槽,设于所述放置面的边缘,所述卡槽用于卡合固定所述晶圆片。
7.根据权利要求2所述的湿法腐蚀装置,其特征在于,所述喷洒组件包括:
一个主喷头,所述主喷头的轴线与所述安装盘的旋转轴线共线,且所述主喷头与所述放置面相对设置。
8.根据权利要求2所述的湿法腐蚀装置,其特征在于,所述喷洒组件包括:
均匀分布的多个喷头,所述多个喷头围绕所述安装盘的旋转轴线为中心设置,所述多个喷头形成的喷头阵列与所述放置面相对设置,
其中,所述多个喷头同时对所述待进行湿法腐蚀的晶圆片进行腐蚀液体的喷覆操作,或所述多个喷头中的至少一个指定喷头单独对所述待进行湿法腐蚀的晶圆片进行腐蚀液体的喷覆操作。
9.根据权利要求2所述的湿法腐蚀装置,其特征在于,还包括:
导轨滑块组件,所述导轨滑块组件包括:
导轨以及与所述导轨滑动配合的滑块,所述导轨和所述滑块分别设置在所述壳体支架和所述喷洒组件上,所述导轨滑块组件用于调整所述喷头组件与所述安装盘的相对位置。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的湿法腐蚀装置,其特征在于,还包括:
废液回收部,设于所述壳体支架上且位于所述安装盘下方,用于收集所述喷覆操作后自所述晶圆片滴落的腐蚀废液,以进行汽液分离处理和废液回收。
11.一种湿法腐蚀方法,其特征在于,包括:
采用如权利要求1至10的湿法腐蚀装置对晶圆片进行湿法腐蚀。
12.根据权利要求11所述的湿法腐蚀方法,其特征在于,采用所述湿法腐蚀装置对晶圆片进行湿法腐蚀,具体包括:
将所述晶圆片贴合固定于所述湿法腐蚀装置的安装盘的放置面上,所述放置面与铅垂线平行;
控制所述安装盘以预设转速旋转并控制所述湿法腐蚀装置的喷涂组件工作,以对竖直放置且随安装盘旋转的所述晶圆片进行腐蚀液体的喷覆操作。
13.根据权利要求12所述的湿法腐蚀方法,其特征在于,所述将所述晶圆片贴合固定于所述湿法腐蚀装置的安装盘的放置面上,所述放置面与铅垂线平行,具体包括:
控制所述湿法腐蚀装置的抽真空组件工作,以将所述晶圆片吸合固定于所述放置面上。
14.根据权利要求12所述的湿法腐蚀方法,其特征在于,所述将所述晶圆片贴合固定于所述湿法腐蚀装置的安装盘的放置面上,所述放置面与铅垂线平行,具体包括:
控制所述湿法腐蚀装置的放置面边缘的卡槽卡合所述晶圆片的边缘,以将所述晶圆片卡合固定于所述放置面上。
15.根据权利要求12至14中任一项所述的湿法腐蚀方法,其特征在于,
所述腐蚀液体包括酸性溶剂、碱性溶剂和有机溶剂中的至少一种。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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