[发明专利]一种NFC模组用隔磁片及其制造方法

权利要求书

1.一种NFC模组用隔磁片的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：

A)用高磁导率的金属软磁材料制成若干个呈片状结构的高磁导片；所述高磁导率的金属软磁材料是指在13.56MHz的条件下，磁导率实部在200～500范围内、磁导率虚部在10～50范围内的纳米晶带材；所述纳米晶带材是经过高温微氧化处理且表面形成有一层氧化膜的纳米晶带材，所述纳米晶带材的单层厚度在15～30μm范围内；所述高温微氧化处理的热处理温度在500℃～650℃范围内，热处理时间在60分钟～180分钟范围内；保护气氛为氮气，且该氮气的含氧量在1.2％～1.5％范围内；

B)用粘结剂覆盖任一高磁导片的一侧，形成一块磁性薄片；重复本步骤，直至磁性薄片的数量N满足设计要求，N≥2；

C)对数量为N的磁性薄片进行同向粘结，形成磁性薄片层；该磁性薄片层的一侧覆盖有粘结剂，另一侧为裸露面；

D)用散热材料制成呈片状结构的散热片，并用粘结剂覆盖散热片的一侧，形成散热层；该散热层的一侧覆盖有粘结剂，另一侧为裸露面；所述散热层是厚度在10～100μm之间且导热系数为500～2000W/m·K的柔性薄片；

E)将散热层覆盖有粘结剂的一侧粘结于磁性薄片层的裸露面；

F)在散热片的裸露面粘贴起绝缘保护作用的保护膜，制成隔磁片。

2.根据权利要求1所述的隔磁片的制造方法，其特征在于：构成散热层的散热材料是石墨或者石墨烯膜或者含有石墨成分的单面胶。

3.根据权利要求1所述的隔磁片的制造方法，其特征在于：在步骤C后增加步骤G：对磁性薄片层进行单元化处理，经单元化处理后，形成于磁性薄片层内的各单元块的尺寸范围在1μm～5cm范围内。