[发明专利]像素结构、阵列基板和液晶显示面板

权利要求书

1.一种像素结构，包括薄膜晶体管和像素电极，其特征在于，所述像素电极包括异层结构设置的第一电极层和第二电极层，所述第一电极层和所述第二电极层均与所述薄膜晶体管电性连接，所述第一电极层和第二电极层之间设置有绝缘介质层，所述第一电极层为包括多个长条状的第一子电极的狭缝电极，相邻的两个第一子电极之间具有第一狭缝；所述第二电极层相对位于所述第一电极层上方，所述第二电极层为包括多个长条状的第二子电极的狭缝电极，相邻的两个第二子电极之间具有第二狭缝；其中，所述第一电极层投影于所述第二电极层上时，所述第一子电极完全覆盖所述第二狭缝，所述第二电极层投影于所述第一电极层上时，所述第二子电极完全覆盖所述第一狭缝。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一电极层投影于所述第二电极层上时，所述第一子电极与所述第二狭缝为互补的形状结构。

3.根据权利要求1或2所述的像素结构，其特征在于，所述第二电极层中，所述第二子电极的宽度为4～5μm，所述第二狭缝的宽度为4～5μm。

4.根据权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述第二子电极的宽度与所述第二狭缝的宽度相等。

5.根据权利要求1或2所述的像素结构，其特征在于，所述第一电极层和第二电极层的材料均为透明导电材料。

6.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于，所述第一电极层和第二电极层的材料均为ITO。

7.根据权利要求1或2所述的像素结构，其特征在于，所述绝缘介质层的材料为SiN_x或SiO_x。

8.根据权利要求1或2所述的像素结构，其特征在于，所述薄膜晶体管包括栅电极、栅极绝缘层、有源层、源电极和漏电极；其中，所述栅电极形成于衬底基板上，所述栅极绝缘层覆设于所述栅电极上，所述有源层形成于所述栅极绝缘层上并相对位于所述栅电极的正上方，所述源电极和漏电极形成于所述栅极绝缘层上并分别与所述有源层电性连接；所述源电极和漏电极上覆设有钝化层，所述像素电极形成在所述钝化层上并且通过设置在所述钝化层中的过孔电性连接到所述漏电极。

9.一种阵列基板，包括衬底基板以及阵列设置于所述衬底基板上的像素结构，其特征在于，所述像素结构为权利要求1-8任一所述的像素结构。

10.一种液晶显示面板，包括相对设置的彩膜基板和阵列基板，所述彩膜基板和所述阵列基板之间设置有液晶分子，其特征在于，所述阵列基板采用上述权利要求9所述的阵列基板。