[发明专利]一种抗还原巨介电常数低损耗高阻值陶瓷电容器介质材料

权利要求书

1.一种抗还原巨介电常数低损耗高阻值陶瓷电容器介质材料，以BaTiO₃粉体为基料，在此基础上，外加质量百分比为0.3～0.8％的Na_0.5Bi_0.5TiO₃；0.6～1.5％的(NiO)_1-x(NbO_2.5)_x，其中x＝0.6～0.8；0.1～0.5％的(MnO)_1-y(NbO_2.5)_y，其中y＝0.4～0.6；1.0～3.0％的CaZrO₃；

所述的Na_0.5Bi_0.5TiO₃，是将Na₂CO₃、Bi₂O₃和TiO₂按摩尔量比为1:1:4合成；

所述(NiO)_1-x(NbO_2.5)_x化合物，是将NiO和Nb₂O₅按摩尔比1-x：x/2，其中x＝0.6～0.8合成；

所述(MnO)_1-y(NbO_2.5)_y化合物，是将MnCO₃、Nb₂O₅按摩尔比1-y：y/2，其中y＝0.4～0.6合成

所述CaZrO₃由CaCO₃和ZrO₂按摩尔比1∶1合成。

该陶瓷电容器介质材料的制备方法，具有如下步骤：

(1)合成Na_0.5Bi_0.5TiO₃

将Na₂CO₃、Bi₂O₃和TiO₂按摩尔量比为1:1:4进行配料，混合球磨4小时后烘干、过40目分样筛，于950℃煅烧4小时，制得Na_0.5Bi_0.5TiO₃；

(2)合成(NiO)_1-x(NbO_2.5)_x化合物，其中x＝0.6～0.8

将NiO、Nb₂O₅按摩尔比1-x：x/2，其中x＝0.6～0.8配料，原料与去离子水混合后球磨4小时，于120℃烘干、过40目分样筛，于1000℃煅烧2小时，再二次球磨6小时，烘干、过80目分样筛，制得(NiO)_1-x(NbO_2.5)_x，其中x＝0.6～0.8；

(3)合成(MnO)_1-y(NbO_2.5)_y化合物，其中y＝0.4～0.6

将MnCO₃、Nb₂O₅按摩尔比1-y：y/2，其中y＝0.4～0.6配料，原料与去离子水混合后球磨4小时，于120℃烘干、过40目分样筛，于800～1000℃煅烧，再二次球磨6小时，烘干、过80目分样筛，制得(MnO)_1-y(NbO_2.5)_y，其中y＝0.4～0.6；

(4)合成CaZrO₃

将CaCO₃、ZrO₂按摩尔比1:1配料，原料与去离子水混合后球磨4小时，于120℃烘干、过40目分样筛，于1000℃煅烧2小时，制得CaZrO₃；

(5)以BaTiO₃作为基料，掺杂质量百分比0.3～0.6％的Na_0.5Bi_0.5TiO₃，混合球磨4小时，烘干后于1050℃煅烧8小时，制得BT-NBT混合物；

(6)在BT-NBT中添加下述质量百分比的成分：0.6～1.5％的(NiO)_1-x(NbO_2.5)_x，其中x＝0.6～0.8；0.1～0.5％的(MnO)_1-y(NbO_2.5)_y，其中y＝0.4～0.6；1.0～3.0％的CaZrO₃，所配原料与去离子水混合后球磨4～8小时，烘干后外加质量百分比为7％的粘结剂，过80目分样筛造粒；

(7)将步骤(6)的造粒粉料压制成生坯，经排胶后，于氢气百分比为0％～5％的氮氢混合还原气氛中1290～1315℃烧结，气体流速40～120mL/min，保温3小时，制得抗还原巨介电常数低损耗高阻值陶瓷电容器介质材料。