[发明专利]等离子体加工设备及预清洗工艺

权利要求书

1.一种等离子体加工设备，包括反应腔室、上射频源、下射频源和进气装置，其中，在所述反应腔室内设置有用于承载基片的基座；进气装置用于向所述反应腔室内输送工艺气体，其特征在于，还包括点火装置，所述点火装置用于向所述反应腔室的内部引入使工艺气体放电所需的种子电子。

2.根据权利要求1所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述点火装置包括一对点火电极和点火控制器，其中，

所述点火控制器设置在所述反应腔室的顶部腔室壁的上方，用以控制所述点火电极进行脉冲放电；

在所述反应腔室的顶部设置有法兰口，所述点火电极的输入端与所述点火控制器电连接，所述点火电极的输出端竖直向下穿过所述法兰口，并延伸至所述反应腔室的内部。

3.根据权利要求2所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述点火装置还包括电极驱动机构，所述电极驱动机构用于驱动所述点火电极运动，以使所述点火电极的输出端移入或者移出所述反应腔室的内部。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述反应腔室包括腔体、设置在所述腔体顶部的绝缘筒以及设置在所述绝缘筒顶部的腔室盖板；

所述点火装置固定在所述腔室盖板上；

所述上射频源包括射频线圈、上匹配器和上射频电源，其中，所述射频线圈环绕在所述绝缘筒的周围，并通过所述上匹配器与所述上射频电源电连接；所述上射频电源用于向所述射频线圈加载射频功率。

5.根据权利要求1-3任意一项所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述下射频源包括下匹配器和下射频电源，所述下射频电源通过所述下匹配器与所述基座电连接，用以向所述基座加载射频功率。

6.根据权利要求1所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述等离子体加工设备用于对所述基片进行预清洗工艺。

7.一种预清洗工艺，其特征在于，采用权利要求1-6任意一项所述的等离子体加工设备对所述基片表面进行清洗；所述预清洗工艺包括以下步骤：

S1，开启所述进气装置，向所述反应腔室内输送工艺气体，且使所述反应腔室的气压保持在预设压强；

S2，按照预设顺序开启所述点火装置、所述上射频源和所述下射频源；

S3，关闭所述点火装置；

S4，对所述基片表面进行清洗；

S5，关闭所述上射频源和所述下射频源；

S6，关闭所述进气装置。

8.根据权利要求7所述的预清洗工艺，其特征在于，在所述步骤S2中，所述预设顺序为：

同时开启所述点火装置、所述上射频源和所述下射频源；或者，

先开启所述点火装置，后同时开启所述上射频源和所述下射频源；或者，

先后依次开启所述点火装置、所述上射频源和所述下射频源。

9.根据权利要求7所述的预清洗工艺，其特征在于，所述预设压强小于10mT。

10.根据权利要求9所述的预清洗工艺，其特征在于，所述预设压强为1mT。