[发明专利]一种全介质超材料类EIT谐振装置

权利要求书

1.一种全介质超材料类EIT谐振装置，其特征在于：包括平板波导和二维周期性介质谐振器，所述平板波导包括第一介质层，所述二维周期性介质谐振器由置于第一介质层的上表面且呈二维周期性分布的长方体介质条构成，所述长方体介质条的折射率大于所述第一介质层的折射率。

2.根据权利要求1所述的全介质超材料类EIT谐振装置，其特征在于：所述平板波导还包括第二介质层，且第二介质层的折射率小于第一介质层的折射率，所述第一介质层置于第二介质层的上表面。

3.根据权利要求1或2所述的全介质超材料类EIT谐振装置，其特征在于：所有长方体介质条的宽边均与入射电磁波的偏振方向平行，所有长方体介质条的长边均与入射电磁波的偏振方向垂直。

4.根据权利要求1或2所述的全介质超材料类EIT谐振装置，其特征在于：所述长方体介质条的长度和宽度分别满足以下条件：n·a＝1.95λ，0.74λ≤n·b≤1.19λ，其中，a表示长方体介质条的长度，b表示长方体介质条的宽度，n表示长方体介质条的折射率，λ表示入射电磁波在真空中的波长。

5.根据权利要求3所述的全介质超材料类EIT谐振装置，其特征在于：所述长方体介质条的长度和宽度分别满足以下条件：n·a＝1.95λ，0.74λ≤n·b≤1.19λ，其中，a表示长方体介质条的长度，b表示长方体介质条的宽度，n表示长方体介质条的折射率，λ表示入射电磁波在真空中的波长。

6.根据权利要求4所述的全介质超材料类EIT谐振装置，其特征在于：所述长方体介质条的宽度满足以下条件：n·b＝1.19λ。

7.根据权利要求5所述的全介质超材料类EIT谐振装置，其特征在于：所述长方体介质条的宽度满足以下条件：n·b＝1.19λ。

8.根据权利要求1、2、5、6或7所述的全介质超材料类EIT谐振装置，其特征在于，所述平板波导的第一介质层的厚度和折射率满足以下公式(1)和(2)所示的条件：

P(sinθ+sini)＝λ/n₁ (1)

其中，P为长方体介质条在Y轴方向的一个分布周期，且P等于长方体介质条的长边和Y轴方向相邻长方体介质条的间距之和；i表示入射电磁波的入射角，θ表示入射电磁波的光栅衍射角，λ为入射电磁波在真空中的波长，d表示第一介质层的厚度，n₁为第一介质层的折射率，2Φ_c是第一介质层上表面的全反射相移，2Φ_s为第一介质层下表面的全反射相移，N是导模阶数，N为不小于零的整数。

9.根据权利要求3所述的全介质超材料类EIT谐振装置，其特征在于，所述平板波导的第一介质层的厚度和折射率满足以下公式(1)和(2)所示的条件：

P(sinθ+sini)＝λ/n₁ (1)

其中，P为长方体介质条在Y轴方向的一个分布周期，且P等于长方体介质条的长边和Y轴方向相邻长方体介质条的间距之和；i表示入射电磁波的入射角，θ表示入射电磁波的光栅衍射角，λ为入射电磁波在真空中的波长，d表示第一介质层的厚度，n₁为第一介质层的折射率，2Φ_c是第一介质层上表面的全反射相移，2Φ_s为第一介质层下表面的全反射相移，N是导模阶数，N为不小于零的整数。

10.根据权利要求4所述的全介质超材料类EIT谐振装置，其特征在于，所述平板波导的第一介质层的厚度和折射率满足以下公式(1)和(2)所示的条件：

P(sinθ+sini)＝λ/n₁ (1)

其中，P为长方体介质条在Y轴方向的一个分布周期，且P等于长方体介质条的长边和Y轴方向相邻长方体介质条的间距之和；i表示入射电磁波的入射角，θ表示入射电磁波的光栅衍射角，λ为入射电磁波在真空中的波长，d表示第一介质层的厚度，n₁为第一介质层的折射率，2Φ_c是第一介质层上表面的全反射相移，2Φ_s为第一介质层下表面的全反射相移，N是导模阶数，N为不小于零的整数。