[发明专利]集成光学薄膜滤波器的超导纳米线单光子探测器有效
| 申请号： | 201710207615.5 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN108666388B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 尤立星;李浩;张伟君;杨晓燕;王镇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L31/09 | 分类号： | H01L31/09;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成 光学薄膜 滤波器 导纳 米线 光子 探测器 | ||
1.一种集成光学薄膜滤波器的超导纳米线单光子探测器，其特征在于，包括：
衬底；
反射镜，位于所述衬底表面；
超导纳米线，位于所述反射镜的表面；
光学薄膜滤波器，位于所述超导纳米线远离所述反射镜的一侧，且与所述超导纳米线具有间距；
光纤MU头，所述光纤MU头位于所述光学薄膜滤波器远离所述超导纳米线的一侧，且所述光学薄膜滤波器贴置于所述光纤MU头的端面上；
封装主体，所述衬底、所述反射镜、所述超导纳米线、所述光学薄膜滤波器及所述光纤MU头封装于所述封装主体内。
2.根据权利要求1所述的集成光学薄膜滤波器的超导纳米线单光子探测器，其特征在于：所述反射镜包括交替层叠的SiO2薄膜层与Si薄膜层、交替层叠的SiO2薄膜层与TiO2薄膜层、交替层叠的SiO2薄膜层与Ta2O5薄膜层、Au薄膜层、Ag薄膜层或Al薄膜层。
3.根据权利要求2所述的集成光学薄膜滤波器的超导纳米线单光子探测器，其特征在于：所述反射镜中，各薄膜层的厚度均等于入射光在该层内等效波长的1/4。
4.根据权利要求1所述的集成光学薄膜滤波器的超导纳米线单光子探测器，其特征在于：所述光学薄膜滤波器包括交替层叠的SiO2薄膜层与Si薄膜层、交替层叠的SiO2薄膜层与TiO2薄膜层、或交替层叠的SiO2薄膜层与Ta2O5薄膜层。
5.根据权利要求4所述的集成光学薄膜滤波器的超导纳米线单光子探测器，其特征在于：所述光学薄膜滤波器中的薄膜层与所述反射镜中的薄膜层不完全相同。
6.根据权利要求1所述的集成光学薄膜滤波器的超导纳米线单光子探测器，其特征在于：所述超导纳米线的材料包括NbN、Nb、TaN、NbTiN或WSi。
7.根据权利要求1所述的集成光学薄膜滤波器的超导纳米线单光子探测器，其特征在于：所述超导纳米线为曲折蜿蜒形状。
8.根据权利要求1所述的集成光学薄膜滤波器的超导纳米线单光子探测器，其特征在于：所述超导纳米线的宽度为50～150纳米。
9.根据权利要求1所述的集成光学薄膜滤波器的超导纳米线单光子探测器，其特征在于：所述超导纳米线的厚度为5～10纳米。
10.根据权利要求1所述的集成光学薄膜滤波器的超导纳米线单光子探测器，其特征在于：所述衬底包括硅衬底、MgO衬底或蓝宝石衬底。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
