[发明专利]一种半导体结构的制造方法、半导体结构及存储器

说明书

本发明提供一种半导体结构的制造方法、半导体结构及存储器，通过于所述衬底上形成第一沟槽；对所述第一沟槽内衬底进行掺杂；于第一沟槽内形成相互独立的第一栅介质层和第一栅电极，以及第二栅介质层和第二栅电极；形成保护层；于第一沟槽内沉积漏区材料层，并刻蚀形成第二沟槽；于所述第二沟槽内填充隔离层，隔离层的顶面高于第一沟槽的底面；于所述隔离层上形成漏电极。本发明通过控制刻蚀窗口尺寸进行自对准刻蚀，无需依赖高解析度的光刻设备工艺，降低了工艺难度和生产成本；而且，通过双沟槽的结构设置，不但相邻存储单元之间能够进行有效隔离，第二沟槽中的隔离层能够实现存储单元内的电容隔离，抑制电容耦合，提高存储器的可靠性。

技术领域

本发明涉及一种半导体结构的制造方法、半导体结构及存储器，特别是涉及一种抗电场耦合的半导体结构的制造方法、半导体结构及存储器。

背景技术

动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，简称：DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容和晶体管；晶体管的栅电极与字线相连、漏电极与位线相连、源电极与电容相连；字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容中进行存储。

目前DRAM的技术发展趋势之一是高集成度，通过制成工艺微缩，缩小晶体管等器件的尺寸和间距等工艺参数，能够在相同电路面积上集成更多的存储单元，从而获得更大的存储容量以及降低生产成本。

然而，发明人通过研究发现，随着晶体管间距的缩小，由于分布电容的存在，相邻的晶体管之间很容易通过分布电容进行信号和能量的传递，产生电容耦合；电容耦合进一步使得相邻的存储单元发生相互影响，这样在DRAM工作过程中，可能导致存储的数据信息的变化，影响DRAM的可靠性，严重时基于上述缺陷的攻击行为可能使得非法用户获得权限，造成信息安全风险。而且，随着制成工艺的微缩，晶体管尺寸的缩小对光刻机等制造设备产生了更高的要求，例如需要光刻机具有更高的解析度以保证晶体管的关键尺寸，这样导致制造工艺难度和成本的增大。

因此，如何降低制造工艺难度和成本，生产出可靠性高的动态随机存储器是本领域技术人员亟需解决的技术问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种半导体结构的制造方法、半导体结构及存储器，用于解决现有技术中动态随机存储器可靠性差、工艺难度和成本高的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种半导体结构的制造方法，该制造方法至少包括以下步骤：

提供一衬底，于所述衬底上形成第一沟槽；

对所述衬底进行掺杂，于所述衬底的所述第一沟槽的第一侧面和第二侧面形成源区，于所述衬底内所述第一沟槽的底面形成沟道区，所述第一侧面和所述第二侧面为沿所述第一沟槽的长度方向形成；

于所述第一沟槽内形成栅介质层与栅电极层，所述栅介质层包含第一栅介质层与第二栅介质层，所述第一栅介质层形成于所述第一侧面和所述第一沟槽的部分底面，所述第二栅介质层形成于所述第二侧面和所述第一沟槽的部分底面，所述栅电极层包含第一栅电极与第二栅电极，所述第一栅电极形成于所述第一栅介质层上，所述第二栅电极形成于所述第二栅介质层上，其中所述第一栅介质层与所述第二栅介质层相分隔，所述第一栅电极与所述第二栅电极相分隔；

于所述第一沟槽内形成保护层，所述保护层包含第一保护层与第二保护层，所述第一保护层形成于所述第一栅电极的顶面和侧面，所述第二保护层形成于所述第二栅电极的顶面和侧面，所述第一保护层和所述第二保护层相分隔；

于所述第一沟槽内沉积漏区材料层，并刻蚀所述漏区材料层和所述衬底，以形成第二沟槽，所述第二沟槽对准所述沟道区并由所述第一沟槽的底面往所述衬底内部延伸，以分割所述源区；