[发明专利]反射式光子晶体彩膜、使用其的显示器件及其制造方法

权利要求书

1.一种反射式光子晶体彩膜，包括；

基底；

形成在基底上且在基底表面上周期性分布的二维光子晶体结构，其中所述二维光子晶体结构由包含硅的材料构成。

2.根据权利要求1所述的反射式光子晶体彩膜，其特征在于，所述二维光子晶体结构为柱状或孔状结构。

3.根据权利要求2所述的反射式光子晶体彩膜，其特征在于，所述二维光子晶体结构为圆柱或方块结构。

4.根据权利要求2所述的反射式光子晶体彩膜，其特征在于，所述二维光子晶体结构为圆孔或方孔结构。

5.根据权利要求3所述的反射式光子晶体彩膜，其特征在于，所述二维光子晶体结构为圆柱结构，所述二维光子晶体结构的周期为330-450nm，所述二维光子晶体结构的占空比为20-30％，其中圆柱的高度为110-130nm，圆柱的直径为190-210nm。

6.根据权利要求4所述的反射式光子晶体彩膜，其特征在于，所述二维光子晶体结构为圆孔结构，所述二维光子晶体结构的周期为240-280nm，所述二维光子晶体结构的占空比为20-30％，其中圆孔的深度为110-130nm，圆孔的直径为125-145nm。

7.根据权利要求4所述的反射式光子晶体彩膜，其特征在于，所述二维光子晶体结构为圆孔结构，所述二维光子晶体结构的周期为120-200nm，所述二维光子晶体结构的占空比为20-30％，其中圆孔的深度为90-110nm，圆孔的直径为90-110nm。

8.根据权利要求3所述的反射式光子晶体彩膜，其特征在于，所述二维光子晶体结构为圆柱结构，所述二维光子晶体结构的周期为210-230nm，所述二维光子晶体结构的占空比为20-30％，其中圆柱的高度为90-110nm，圆柱的直径为110-130nm。

9.根据权利要求8所述的反射式光子晶体彩膜，其特征在于，所述二维光子晶体结构的周期为220nm，所述圆柱的高度为100nm，所述圆柱的直径为124nm。

10.根据权利要求3所述的反射式光子晶体彩膜，其特征在于，所述二维光子晶体结构为圆柱结构，所述二维光子晶体结构的周期为290-320nm，所述二维光子晶体结构的占空比为20-30％，其中圆柱的高度为110-130nm，圆柱的直径为160-180nm。

11.根据权利要求10所述的反射式光子晶体彩膜，其特征在于，所述二维光子晶体结构的周期为300nm，所述圆柱的高度为120nm，所述圆柱的直径为170nm。

12.一种反射式光子晶体彩膜的制造方法，包括：

形成基底；

在基底上形成由包含硅的材料构成的薄膜；以及

通过对所述薄膜进行曝光蚀刻得到在基底表面上周期性分布的二维光子晶体结构。

13.根据权利要求12所述的反射式光子晶体彩膜的制造方法，其特征在于，所述二维光子晶体结构为柱状或孔状结构。

14.一种显示器件，包括：根据权利要求1-11所述的反射式光子晶体彩膜；形成在所述反射式光子晶体彩膜上的液晶；形成在所述液晶上的前置光源。

15.一种显示器件的制造方法，包括：

形成根据权利要求1-11所述的反射式光子晶体彩膜；

在所述反射式光子晶体彩膜上形成液晶；以及

在所述液晶上形成前置光源。