[发明专利]一种ITO镀膜液的电化学制备方法、一种ITO导电玻璃及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710208139.9 申请日: 2017-03-31
公开(公告)号: CN107012479B 公开(公告)日: 2019-05-14
发明(设计)人: 褚道葆;田瑞芬 申请(专利权)人: 安徽师范大学
主分类号: C25B3/12 分类号: C25B3/12;C03C17/23
代理公司: 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 代理人: 任晨晨
地址: 241000 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 ito 镀膜 电化学 制备 方法 导电 玻璃 及其
【说明书】:

发明提供了一种ITO镀膜液的电化学制备方法、一种ITO导电玻璃及其制备方法,与现有技术相比,本发明提供了一种ITO镀膜液的电化学制备方法,该方法直接使用纯金属锡和电能作为原材料,成本低,工艺简单,而且减少环境污染,提高产品性能。

技术领域

本发明涉及导电玻璃镀膜液的制备方法,具体涉及一种ITO镀膜液的电化学制备方法、一种ITO导电玻璃及其制备方法。

背景技术

TCO(Transparent conducting oxide)导电玻璃,主要包括ITO(氧化铟锡)、ITO(氟掺杂氧化锡)、AZO(铝掺杂氧化锌)等。其中ITO透明导电薄膜不仅具有优良的导电性而且具有优良的可见光透明性,其对可见光的透过率高达95%以上,对紫外线的吸收率≥85%,对红外线的反射率≥70%,对微波的衰减率≥85%;同时ITO薄膜的加工性能极好,ITO膜层硬度高且耐磨耐蚀,因而ITO薄膜近年在薄膜晶体管(TFT)、平板液晶显示(LCD)、电色层窗口、光生伏打器件中的有源和无源组电色层窗口、以及红外辐射反射热镜薄膜等方面获得了广泛应用。

ITO薄膜的制备方法很多,目前应用最广的成熟工艺有磁控溅射法、激活反应蒸发法、化学气相沉积法以及溶胶凝胶(sol-gel)法等,其中磁控溅射法已成为工业制备ITO透明导电薄膜的最重要的生产工艺,但采用磁控溅射法因首先要制备出高纯纳米尺度的材料,然后需制得高密度的ITO靶材,最后利用专门的磁控溅射设备才能使得在基体材料上制得ITO薄膜,由于工艺过程复杂,工艺条件苛刻以及废靶率高等,所以成本较高,与其他方法相比,采用溶胶凝胶法制膜,具有成本低,设备简单,工艺可控,有利于大面积成膜等优点。

发明内容

本发明提供了一种ITO镀膜液的电化学制备方法,利用电化学方法,直接使用纯金属锡、铟和电能作为原材料,成本低,工艺简单,而且减少环境污染,提高产品性能。

本发明还提供了一种ITO导电玻璃及其制备方法,利用电化学方法制备的ITO镀膜液制备的导电玻璃成本低,性能优异。

本发明提供的一种ITO镀膜液的电化学制备方法,包括以下步骤:

1)依次使用纯金属锡和纯金属铟作为阳极材料、有机导电盐的有机醇溶液为电解液,以惰性电极或不锈钢作阴极,在无隔膜电解槽中通电电解,得到锡铟醇盐溶液;

2)将去离子水加入步骤1)制备的锡、铟醇盐溶液中,调节凝胶pH至4-6,搅拌水解得到ITO镀膜液。

进一步的,步骤1)中所述电解电流为直流电,电流强度为0.2-8A/dm2;电解时间为6-16h。

步骤1)中所述有机醇为为无水乙醇、丙醇,异丙醇、丁醇的一种或几种的混合溶液。

步骤1)中所述的有机导电盐,其浓度为0.2-10%。

步骤1)中所述有机导电盐为四丁基溴化铵、四丁基氯化铵、十六烷基三甲基溴化铵或苄基三甲基溴化铵。

步骤1)中所述惰性电极为铅电极、碳棒或铂电极。

步骤1)中所述通电电解时,体系温度为20-30℃。

步骤1)中得到的锡铟醇盐溶液中锡、铟的摩尔比为0.005-0.025:1。

步骤2)中加入去离子水后,锡铟醇盐溶液的浓度为0.1-0.8mol/L。

步骤2)中搅拌水解形成溶胶在20-60℃温度下进行。

步骤2)中搅拌水解时间6-24h。

步骤2)中调节pH所用的酸为甲酸、乙酸、盐酸或硝酸中的一种或几种。

一种ITO导电玻璃的制备方法,制备方法为:

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