[发明专利]基于软板制造工艺的电能转换器及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201710208241.9 申请日: 2017-03-31
公开(公告)号: CN106952712A 公开(公告)日: 2017-07-14
发明(设计)人: 吕军军;王万军;付秋菠;郭菲 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院化工材料研究所
主分类号: H01F27/28 分类号: H01F27/28;H01F27/30;H01F41/04
代理公司: 四川省成都市天策商标专利事务所51213 代理人: 卞涛,王荔
地址: 621000*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 基于 制造 工艺 电能 转换器 及其 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于电子元器件领域,特别涉及一种基于软板制造工艺的电能转换器及其制造方法。

背景技术

电能转换器是现代民用、国防工业等重要的电子元器件,比如在低电压转换为高电压的场合,就需要首先将几伏至几十伏低电压通过电压转换器,经过电能→磁能→电能的转换,可达到几百伏至数千伏的高电压,进而实现其后续放电功能。目前,常用的电能转换器存在体积较大的缺点,在很多装配空间有限的情况下难以应用,而且也不符合集成化的发展趋势。

发明内容

本发明的目的是提供一种基于软板制造工艺的电能转换器及其制造方法,以降低减小电能转换器的尺寸并提高电能转换器的电压转换性能。

本发明是通过以下技术方案实现的。

本发明首先涉及一种基于软板制造工艺的电能转换器,包括磁性介质上盖板、第一绕组结构、第二绕组结构和磁性介质下盖板,所述第一绕组结构和第二绕组结构设置在磁性介质上盖板和磁性介质下盖板之间,所述第一绕组结构和第二绕组结构均包括串联连接的若干个绕组层,所述绕组层包括磁性介质层、覆铜膜和在覆铜膜上通过软板制造工艺形成的绕组,所述第一绕组结构的绕组层和第二绕组结构的绕组层交叉排布,所述磁性介质上盖板、第一绕组结构、第二绕组结构和磁性介质下盖板通过软板制造工艺层压或者键合在一起。

作为一种优选的实施方式,所述绕组层的磁性介质层与该绕组层的绕组处于同一面或者磁性介质层分布在覆铜膜的背面。

作为另一种优选的实施方式,所述第一绕组结构中相邻的绕组层通过导电通孔串联连接,所述第二绕组结构中相邻的绕组层通过导电通孔串联连接。

作为另一种优选的实施方式,所述磁性介质上盖板和磁性介质下盖板的形状为片状或薄膜状。

作为另一种优选的实施方式,所述覆铜膜为聚酰亚胺覆铜膜。

本发明还涉及一种基于软板制造工艺的电能转换器的制造方法,包括:

形成第一绕组结构和第二绕组结构,所述第一绕组结构和第二绕组结构均包括串联连接的若干个绕组层,所述绕组层包括磁性介质层、覆铜膜和在覆铜膜上通过软板制造工艺形成的绕组;

将第一绕组的绕组层与第二绕组的绕组层交叉排布;

将磁性介质上盖板、第一绕组结构、第二绕组结构和磁性介质下盖板叠放在一起,采用软板制造工艺,将以上各层层压或者键合在一起形成一个固件;

在第一绕组结构和第二绕组结构的绕组层的连接处形成导电通孔,使第一绕组结构的绕组层形成串联线路并且使第二绕组结构的绕组层形成串联线路。

作为一种优选的实施方式,所述形成第一绕组结构或第二绕组结构的方法为:

对覆铜膜进行清洗;

对覆铜膜进行图形化设计,形成初级线条形状,将磁性介质层贴合在线条的中心位置和四周位置,形成初级绕组层;

对覆铜膜进行图形化设计,形成次级线条形状,将磁性介质层贴合在线条的中心位置和四周位置,形成次级绕组层;

重复上一步骤,形成多个绕组层。

作为另一种优选的实施方式,所述绕组层的磁性介质层与该绕组层的绕组处于同一面或者磁性介质层分布在覆铜膜的背面。

本发明提出的技术方案具有以下有益效果:

本发明采用通用的软板制造工艺制造电能转换器,制造方法简单,非常适合批量制造和生产,有利于降低成本和提高产品质量一致性。

本发明中采用第一绕组结构和第二绕组结构构成电能转换器,绕组结构中的绕组层的厚度可以控制在几十μm,因此,该电能转换器的总厚度可以控制在毫米级别,电能转换器的尺寸得到了显著减小。

通过调整第一绕组结构和第二绕组结构的线圈比例,可以提高电能转换器的电压转换性能,大大拓宽了其适用范围。

附图说明

图1为本发明的实施例一提供的电能转换器的截面示意图。

图2为本发明的实施例一提供的电能转换器的第一绕组结构的绕组层的结构示意图。

图3为本发明的实施例一提供的电能转换器的第二绕组结构的绕组层的结构示意图。

图4为本发明的实施例二提供的电能转换器的绕组层的形成示意图。

图5为本发明的实施例二提供的电能转换器的绕组层的形成示意图。

图6为本发明的实施例二提供的电能转换器的绕组层的形成示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将对本发明的具体实施方式进行清楚、完整的描述。

实施例一

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