[发明专利]浸没式光刻机基底台系统、浸没式光刻机在审
申请号: | 201710208691.8 | 申请日: | 2017-03-31 |
公开(公告)号: | CN108663906A | 公开(公告)日: | 2018-10-16 |
发明(设计)人: | 魏龙飞;丛国栋;方洁 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 浸没式光刻机 基底台 伸缩桥 浸没液体 光刻 投影物镜 伸长 侧边接合 生产效率 无缝衔接 装置移动 磁力 光刻机 垂向 移动 支撑 | ||
本发明提供的浸没式光刻机基底台系统及浸没式光刻机,在浸没式光刻机基底台系统中设置两个可以移动的分动台,在分动台的侧边上设置伸缩桥装置,该伸缩桥装置伸长时可与另一个分动台的侧边接合,这样当投影物镜以及浸没液体在一个分动台上光刻完成后,可以经过伸长后的伸缩桥装置移动至另一个分动台,也就是说伸缩桥装置在两个分动台之间为浸没液体提供的垂向支撑,而浸没液体在投影物镜下本身通过磁力可维持水平方向的形状,使用包含这种浸没式光刻机基底台系统的光刻机,使得光刻时两个分动台上的光刻可以无缝衔接,提高了生产效率。
技术领域
本发明涉及半导体领域,特别涉及一种浸没式光刻机基底台系统、浸没式光刻机。
背景技术
浸没式光刻技术需要在光刻机投影物镜最后一个透镜的下表面与硅片上的光刻胶之间充满高折射率的浸没液体。投影物镜的数值孔径NA=nsinθ,其中,n为投影物镜与硅片之间介质的折射率,θ为光线最大入射角。在最大入射角相同的情况下,浸没式光刻系统的数值孔径比传统光刻系统增大了n倍。而从傅里叶光学的角度,数值孔径扮演着空间频率低通滤波器阈值的角色,注入高折射率的浸没液体可以使更高空间频率的光波入射到光刻胶上,因此成像分辨率得以提高。
双工件台光刻机的采用,使得“干式测量,浸没曝光”成为可能:即硅片在测量位置完成“干式”测量,在得到硅片的精确三维形貌后,利用双工件台光刻机特有的检焦算法可以预先得到硅片的离焦量,继而在曝光位置无需再进行调平调焦测量即可将硅片定位到理想焦面完成浸没曝光,实现了双工件台技术与浸没曝光技术的无缝衔接。
但使用双工件台光刻机时,如何在双台交换时维持浸没液场是急需解决的问题。
发明内容
为解决上述问题,本发明提出了一种浸没式光刻机基底台系统、浸没式光刻机,在基底台系统的一个或多个分动台上设置伸缩桥装置,其能和另一个分动台的侧边接合,使得投影物镜和浸没液体通过伸缩桥装置能移动至另一个分动台上。
为达到上述目的,本发明提供一种浸没式光刻机基底台系统,位于浸没系统下方,所述浸液系统维持浸没液体,所述浸没式光刻机基底台系统包括两个或两个以上用于承载基底的分动台,所述分动台中的一个或多个的侧面固定有伸缩桥装置,当所述伸缩桥装置伸展时,所述伸缩桥装置将两个所述分动台的侧边皆接合,使所述浸没液体从一个分动台上转移至另一个分动台上。
作为优选,所述伸缩桥装置伸展时,所述伸缩桥装置的表面与所述分动台的台面位于同一个平面。
作为优选,所述伸缩桥装置为伸缩板结构,所述伸缩桥装置通过铰链固定在所述分动台的侧面。
作为优选,每个所述伸缩桥装置与其铰接固定的分动台的侧边之间设置有密封条。
作为优选,所述伸缩桥装置由若干个伸缩板主体相互铰接形成。
作为优选,所述伸缩桥装置由两个分伸缩桥装置组成,两个所述分伸缩桥装置分别设置在两个所述分动台相对的侧面。
浸没式光刻机基底台系统,作为优选,所述伸缩板主体间设置有
密封条。
作为优选,每个所述分动台上还设置有用于驱动所述伸缩桥装置伸缩的驱动装置。
作为优选,所述驱动装置包括动力气缸。
作为优选,所述驱动装置、所述铰链与所述伸缩桥装置组成曲柄滑块机构。
作为优选,所述伸缩桥装置的宽度大于所述浸没液体形成的浸没液场的直径。
作为优选,任一所述分动台从下至上包括一粗动台和跟随所述粗动台运动的微动台,所述伸缩桥装置设置在所述微动台侧面,所述伸缩桥装置伸长至与另一个分动台的微动台的侧边接合时,所述伸缩桥装置的表面与所述微动台的台面位于同一平面。
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