[发明专利]一种GaN器件键合方法在审
| 申请号： | 201710209430.8 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN106952812A | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 陈一峰 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙)51223 | 代理人： | 徐丰 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan 器件 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种GaN器件键合方法，其特征在于，包括；其GaN器件外延结构的键合过程，主要包括如下步骤：
步骤1：在传统GaN器件完成正面工艺后，在其背面沉积一层Si化物；
步骤2：利用光刻胶键合，将所述GaN器件键合到载体上；
步骤3：利用刻蚀工艺，将背面沉积的Si化物去除，完成键合。
2.根据权利要求1所述的GaN器件键合方法，其特征在于：所述Si化物具有应力，其应力包括张应力和压应力，方向与正面工艺后GaN晶圆应力方向相反。
3.根据权利要求1所述的GaN器件键合方法，其特征在于：所述GaN器件包括GaN HEMT器件、GaN HBT器件和GaN PIN器件。
4.根据权利要求1所述的GaN器件键合方法，其特征在于：所述Si化物包括SiN和SiO2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
