[发明专利]一种阵列基板、显示面板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201710210006.5 申请日: 2017-03-31
公开(公告)号: CN106950771B 公开(公告)日: 2019-12-24
发明(设计)人: 苏秋杰;骆涛 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/32
代理公司: 11274 北京中博世达专利商标代理有限公司 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 显示 面板 显示装置
【说明书】:

发明实施例提供一种阵列基板、显示面板及显示装置,涉及显示技术领域,可以避免使U形结构的TFT的源极与漏极电连接。该阵列基板包括衬底,设置于所述衬底上的栅线、数据线、薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的漏极与所述数据线电连接;所述漏极包括U形部分;所述U形部分的底部与所述栅线和所述薄膜晶体管的栅极无交叠;所述薄膜晶体管的源极与所述U形部分的底部之间的距离范围为2.2~2.5μm。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。

背景技术

在显示技术领域,薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)作为制作显示装置的重要器件,对显示装置的显示品质起着重要作用。

其中,U形结构的TFT因可实现较大的工作电流而被广泛应用。U形结构的TFT的漏极包括U形部分,所述U形部分包括直部和底部,所述U形部分的底部呈弯折状,由于所述U形部分的底部在工艺制作过程中工艺参数较难管控,难以达到工艺要求,容易与源极电连接,从而对TFT特性产生不良影响。

因此,需对U形结构的TFT进行改进,以避免源极与漏极电连接。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板、显示面板及显示装置,可以避免使U形结构的TFT的源极与漏极电连接。

为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:

第一方面,提供一种阵列基板,包括衬底,设置于所述衬底上的栅线、数据线、薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的漏极与所述数据线电连接;所述漏极包括U形部分;所述U形部分的底部与所述栅线和所述薄膜晶体管的栅极无交叠;所述薄膜晶体管的源极与所述U形部分的底部之间的距离范围为2.2~2.5μm。

优选的,所述源极与所述U形部分的底部之间的区域,与所述栅线和所述栅极无交叠。

优选的,第n行所述栅线靠近第n-1行所述栅线设置;针对任一列所述薄膜晶体管,第n行所述薄膜晶体管的所述U形部分与第n-1行所述薄膜晶体管的所述U形部分底部共用,且共用部分设置于第n行所述栅线和第n-1行所述栅线之间;n为正偶数。

优选的,所述栅极由所述栅线的一部分充当。

优选的,所述源极包括依次连接设置的第一支部、第二支部、以及第三支部;所述第一支部靠近所述U形部分的内表面设置,所述第二支部的宽度大于所述第一支部的宽度、且小于所述第三支部的宽度。

优选的,当所述栅线设置在所述数据线靠近所述衬底一侧时,所述栅线的宽度为X;所述数据线与所述栅线在所述衬底上的正投影未重合的区域,所述数据线的宽度为Y;所述数据线与所述栅线在所述衬底上的正投影重合的区域,所述数据线的宽度范围为Y+0.5~Y+1μm。

优选的,当所述数据线设置在所述栅线靠近所述衬底一侧时,所述数据线的宽度为Y;所述栅线与所述数据线在所述衬底上的正投影未重合的区域,所述栅线的宽度为X;所述栅线与所述数据线在所述衬底上的正投影重合的区域,所述栅线的宽度范围为X+0.5~X+1μm。

第二方面,提供一种显示面板,包括第一方面所述的阵列基板。

优选的,所述显示面板为液晶显示面板;或者,所述显示面板为OLED显示面板。

第三方面,提供一种显示装置,包括第一方面所述的阵列基板。

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