[发明专利]一种芯片及其电压调节方法

权利要求书

1.一种芯片的电压调节方法，其特征在于，所述方法包括：

获取检测信号在待测芯片的第一时延链路中传输的第一时延值，以及所述检测信号在所述待测芯片的第二时延链路中传输的第二时延值；基于所述第一时延值和所述第二时延值，确定所述待测芯片的工艺偏差值；其中，所述第一时延链路与所述第二时延链路的时延特性不同，所述第二时延值与所述第一时延值不同；

生成第一时钟信号，基于所述第一时钟信号中的时钟频率，确定所述待测芯片的逻辑单元的第一工艺频率值；

生成第二时钟信号，基于所述第二时钟信号中的时钟频率和所述待测芯片的金属走线的信息，确定所述金属走线的第二工艺频率值；

根据所述工艺偏差值、所述第一工艺频率值和所述第二工艺频率值，对所述待测芯片的工作电压进行调整。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一时延值和所述第二时延值，确定所述待测芯片的工艺偏差值，包括：

基于所述第一时延值和所述第二时延值，确定所述待测芯片的工艺值；

将所述工艺值转换为二进制文件BIN值；

根据所述BIN值，确定所述待测 芯片的工艺偏差值。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述工艺偏差值、所述第一工艺频率值和所述第二工艺频率值，对所述待测芯片的工作电压进行调整，包括：

根据所述工艺偏差值、所述第一工艺频率值和所述第二工艺频率值，生成所述待测芯片的工艺、电压、温度PVT和频率的信息映射表；

基于所述工艺偏差值对所述待测芯片的工作电压进行初始化设置，并结合所述PVT和频率的信息映射表，对所述待测芯片的工作电压进行调整。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属走线的信息，包括：所述金属走线的寄生电阻信息和电容信息。

5.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括：时延链TDC工艺传感器、环形振荡Ringo工艺传感器、关键路径环形震荡CPR工艺传感器和工艺传感器控制模块；

其中，所述TDC工艺传感器，用于获取检测信号在待测芯片的第一时延链路中传输的第一时延值，以及所述检测信号在所述待测芯片的第二时延链路中传输的第二时延值；基于所述第一时延值和所述第二时延值，确定所述待测芯片的工艺偏差值；其中，所述第一时延链路与所述第二时延链路的时延特性不同，所述第二时延值与所述第一时延值不同；

所述Ringo工艺传感器，用于生成第一时钟信号，基于所述第一时钟信号中的时钟频率，确定所述待测芯片的逻辑单元的第一工艺频率值；

所述CPR工艺传感器，用于生成第二时钟信号，基于所述第二时钟信号中的时钟频率和所述待测芯片的金属走线的信息，确定所述金属走线的第二工艺频率值；

所述工艺传感器控制模块，用于根据所述工艺偏差值、所述第一工艺频率值和所述第二工艺频率值，对所述待测芯片的工作电压进行调整。

6.根据权利要求5所述的芯片，其特征在于，所述TDC工艺传感器，具体用于基于所述第一时延值和所述第二时延值，确定所述待测芯片的工艺值；将所述工艺值转换为BIN值；根据所述BIN值，确定所述待测 芯片的工艺偏差值。

7.根据权利要求5所述的芯片，其特征在于，所述工艺传感器控制模块，具体用于根据所述工艺偏差值、所述第一工艺频率值和所述第二工艺频率值，生成所述待测芯片的PVT和频率的信息映射表；基于所述工艺偏差值对所述待测芯片的工作电压进行初始化设置，并结合所述PVT和频率的信息映射表，对所述待测芯片的工作电压进行调整。

8.根据权利要求5所述的芯片，其特征在于，所述金属走线的信息，包括：所述金属走线的寄生电阻信息和电容信息。