[发明专利]一种制备纳米化Mg3Sb2热电材料的方法有效
| 申请号： | 201710210428.2 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN107176589B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 张强;樊建锋;张华;许并社 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | C22C1/04 | 分类号： | C22C1/04;H01L35/16;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 | 代理人： | 朱源 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 纳米 mg3sb2 热电 材料 新方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备纳米化Mg3Sb2热电材料的方法，其特征在于包括以下步骤：
1）按Mg3(1+0.04)Sb2各原子化学计量比进行称量，然后将称量好的Mg粉和Sb粉研磨混合均匀，将混合均匀的粉末压成块体；
2）将步骤1）所得块体真空密封于玻璃管中，再将该玻璃管放入反应炉中，反应温度为600℃，保温时间为20h，可得到单相Mg3Sb2化合物；
3）将上述所得单相Mg3Sb2化合物研磨成粉末，进行氢化脱氢处理，得到纳米化Mg3Sb2热电材料；所述氢化脱氢的过程为：将粉末装入氢化脱氢反应装置内，a. 氢化条件：温度350℃，时间12h，氢压4MPa；b. 脱氢条件：温度300℃，时间3h，抽真空至1.0×10-3Pa。
2.根据权利要求1所述的一种制备纳米化Mg3Sb2热电材料的方法，其特征在于所述步骤1）中Mg粉、Sb粉的质量纯度均≥99.9%；采用冷压成型工艺将混合均匀的粉末压成块体；所述冷压成型工艺为：第一步，5MPa下保压5min；第二步，8MPa下保压10min。
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