[发明专利]一种探测电路

权利要求书

1.一种探测电路，所述探测电路的输出信号用于控制供电电压，所述供电电压为待控制电路供电，其特征在于，包括：电流生成电路、第一电压生成电路、第二电压生成电路以及比较电路；其中：

所述电流生成电路适于接入所述供电电压，转换所述供电电压为供电电流；

所述第一电压生成电路适于根据所述供电电流生成第一电压信号；

所述第二电压生成电路适于根据所述供电电流生成第二电压信号；

所述比较电路适于比较所述第一电压信号和所述第二电压信号，生成所述输出信号；

其中，所述电流生成电路、第一电压生成电路以及第二电压生成电路包含的MOS管的工艺角类型与所述待控制电路包含的MOS管的工艺角类型相同；

所述供电电压由大到小变化，当降低到所述比较电路翻转时刻的电压时，则所述探测电路控制所述供电电压停止变化；或者，所述供电电压由小到大变化，当升高到所述比较电路翻转时刻的电压时，则所述探测电路控制所述供电电压停止变化。

2.根据权利要求1所述的探测电路，其特征在于，所述第一电压生成电路包括第一镜像支路和第一电流通路，所述第一镜像支路的输出电流与所述供电电流成镜像比例关系；

所述第一镜像支路通过所述第一电流通路接地，所述第一镜像支路与所述第一电流通路的连接点的电压信号为所述第一电压信号；

所述第一电流通路还连接至所述电流生成电路，所述电流生成电路通过所述第一电流通路接地。

3.根据权利要求2所述的探测电路，其特征在于，所述第二电压生成电路包括第二镜像支路和第二电流通路，所述第二镜像支路的输出电流与所述供电电流成镜像比例关系；

所述第二镜像支路通过所述第二电流通路接地，所述第二镜像支路与所述第二电流通路的连接点作为所述第二电压信号。

4.根据权利要求3所述的探测电路，其特征在于，所述第一电流通路包括第一阻抗，所述第一镜像支路经由所述第一阻抗接地；所述第二电流通路包括第二阻抗，所述第二镜像支路经由所述第二阻抗接地。

5.根据权利要求4所述的探测电路，其特征在于，所述第一电流通路还包括第一NMOS管以及第二NMOS管；

所述第一NMOS管的栅极与所述第二NMOS管的栅极相连接，共同连接至所述第一NMOS管的漏极，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的漏极连接至所述电流生成电路的输出端；

所述第二NMOS管的源极通过所述第一阻抗接地，所述第二NMOS管的漏极连接至所述第一镜像支路的输出端。

6.根据权利要求5所述的探测电路，其特征在于，所述电流生成电路包括第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一镜像支路包括第三PMOS管和第四PMOS管；

所述第一PMOS管的栅极连接至所述第四PMOS管的栅极，所述第一PMOS管的源极接入所述供电电压，所述第一PMOS管的漏极连接至所述第二PMOS管的源极；

所述第二PMOS管的栅极连接至所述第三PMOS管的栅极，所述第二PMOS管的漏极作为所述电流生成电路的输出端，所述第二PMOS管的漏极电流为所述供电电流；

所述第三PMOS管的栅极连接至所述第三PMOS管的漏极，所述第三PMOS管的源极连接至所述第四PMOS管的漏极，所述第三PMOS管的漏极作为所述第一镜像支路的输出端，所述第一镜像支路的输出端电压作为所述第一电压信号；

所述第四PMOS管的栅极连接至所述第四PMOS管的漏极，所述第四PMOS管的源极连接至所述第一PMOS管的源极。

7.根据权利要求6所述的探测电路，其特征在于，所述第二镜像支路包括第五PMOS管和第六PMOS管；

所述第五PMOS管的栅极连接至所述第三PMOS管的栅极，所述第五PMOS管的源极连接至所述第六PMOS管的漏极，所述第五PMOS管的漏极通过所述第二阻抗接地，所述第五PMOS管的漏极信号作为所述第二电压信号；

所述第六PMOS管的栅极连接至所述第四PMOS管的栅极，所述第六PMOS管的源极连接至所述第四PMOS管的源极。