[发明专利]为存储器提供ECC的方法与装置有效
申请号: | 201710211851.4 | 申请日: | 2017-03-31 |
公开(公告)号: | CN108665939B | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 蔡金池;沈飞 | 申请(专利权)人: | 厦门旌存半导体技术有限公司 |
主分类号: | G06F11/10 | 分类号: | G06F11/10 |
代理公司: | 北京卓特专利代理事务所(普通合伙) 11572 | 代理人: | 段宇;张会会 |
地址: | 361000 福建省厦门市中国(福建)自由贸易试*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 提供 ecc 方法 装置 | ||
本申请提供了为存储器提供ECC的方法与装置。所提供的为存储器提供ECC的方法包括:接收并缓存来自主设备的第一写命令;将接收的第一写命令的数据写入存储器中;对缓存的第一写命令的数据计算校验数据;生成用于将第一写命令的校验数据写入存储器的第二写命令,并发送给存储器;响应于将第一写命令的数据和校验数据均写入存储器,向主设备告知第一写命令处理完成。
技术领域
本申请涉及集成电路技术领域,尤其涉及存储器子系统中的错误检查与校正。
背景技术
一些存储器子系统中提供错误检查与校正(Error Checking and Correction,ECC)功能,用来检测存储器中的数据错误,以及可选地,对错误数据进行校正。提供ECC特征的存储器中,存储器中存储数据以及基于数据计算出的校验数据。数据与其校验数据构成数据保护单元。例如,一个数据保护单元中,校验数据的大小是数据的12.5%。
发明内容
提供ECC功能的存储器价格相对昂贵。希望使用相对便宜的普通的存储器,并同时提供ECC功能。
根据本申请的第一方面,提供了根据本申请第一方面的第一写命令处理方法,包括:接收并缓存来自主设备的第一写命令;将接收的第一写命令的数据写入存储器中;对缓存的第一写命令的数据计算校验数据;生成用于将第一写命令的校验数据写入存储器的第二写命令,并发送给存储器;响应于将第一写命令的数据和校验数据均写入存储器,向主设备告知第一写命令处理完成。
根据本申请的第一方面的第一写命令处理方法,提供了根据本申请第一方面的第二写命令处理方法,包括:若第一写命令的数据长度大于校验数据保护单元的数据长度,将第一写命令拆分为多个子写命令,每一个子写命令的长度等于校验数据保护单元的数据长度;对每个子写命令的数据分别计算校验数据;生成用于将每个子写命令的校验数据写入存储器的第三写命令,并发送给存储器;响应于将属于第一写命令的多个子写命令的数据和对应每个子写命令的校验数据均写入存储器后,向主设备告知第一写命令处理完成。
根据本申请的第一方面的第二写命令处理方法,提供了根据本申请第一方面的第三写命令处理方法,还包括:若拆分后的第一子写命令的数据小于一个校验数据保护单元对应的数据长度,则暂停处理第一子写命令;直到用其他写命令的数据将第一子写命令补足到一个校验数据保护单元的数据长度。
根据本申请的第一方面的第一写命令处理方法,提供了根据本申请第一方面的第四写命令处理方法,还包括:若第一写命令的数据长度大于校验数据保护单元的数据长度,将第一写命令的数据拆分为多段数据,每段数据的长度等于校验数据保护单元的数据长度;为每段数据分别计算校验数据;生成用于将由多段数据计算得到的多段校验数据一起写入存储器的第四写命令,并发送给存储器。
根据本申请的第一方面的第一至第四之一的写命令处理方法,提供了根据本申请第一方面的第五写命令处理方法,其中,写命令的数据与其校验数据在存储器中具有不同的体地址以及相同的页地址。
根据本申请的第一方面的第五写命令处理方法,提供了根据本申请第一方面的第六写命令处理方法,其中,使用单一的预充电命令,将第一写命令的数据与校验数据写入存储器。
根据本申请的第一方面的第五或第六的写命令处理方法,提供了根据本申请第一方面的第七写命令处理方法,其中,写命令的数据与其校验数据在存储器中的体地址的差为指定值。
根据本申请的第一方面的第五至第七之一的写命令处理方法,提供了根据本申请第一方面的第八写命令处理方法,其中,写命令的数据被写入存储器的M个体,而写命令的数据的校验数据被写入存储器的其余N个体。
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