[发明专利]基于化学增强光刻胶及电子束曝光的掩模版的制造方法

权利要求书

1.一种基于化学增强光刻胶及电子束曝光的掩模版的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1)，提供一掩模版，于所述掩模版上形成正型化学增强光刻胶，对所述光刻胶进行曝光；

步骤2)，对曝光后的光刻胶进行前烘及冷却；

步骤3)，对所述光刻胶进行显影形成图形光刻胶，并对所述掩模版进行湿法腐蚀以形成图形掩模版；

步骤4)，去除所述图形光刻胶；

步骤5)，对所述图形掩模版进行关键尺寸测量。

2.根据权利要求1所述的基于化学增强光刻胶及电子束曝光的掩模版的制造方法，其特征在于：步骤1)中，所述掩模版包括玻璃基板以及覆盖于所述玻璃基板表面上的铬层，所述玻璃基板包括钠钙玻璃、硼硅玻璃及石英玻璃中的一种。

3.根据权利要求1所述的基于化学增强光刻胶及电子束曝光的掩模版的制造方法，其特征在于：步骤1)中，采用旋涂工艺于所述掩模版上形成所述正型化学增强光刻胶。

4.根据权利要求1所述的基于化学增强光刻胶及电子束曝光的掩模版的制造方法，其特征在于：步骤1)中，采用电子束曝光方法对所述正型化学增强光刻胶进行曝光。

5.根据权利要求1所述的基于化学增强光刻胶及电子束曝光的掩模版的制造方法，其特征在于：步骤2)中，所述前烘的温度范围为100～130℃，前烘的时间为2～10min。

6.根据权利要求1所述的基于化学增强光刻胶及电子束曝光的掩模版的制造方法，其特征在于：步骤3)中，通过控制所述正型化学增强光刻胶的显影时间来控制图形光刻胶的关键尺寸，其中，减少显影时间对应的保证图形关键尺寸所要求的湿法腐蚀的时间增大。

7.根据权利要求1～6任意一项所述的基于化学增强光刻胶及电子束曝光的掩模版的制造方法，其特征在于：步骤3)中，对所述正型化学增强光刻胶进行显影的时间范围为50～65s。

8.根据权利要求7所述的基于化学增强光刻胶及电子束曝光的掩模版的制造方法，其特征在于：步骤3)中，所述湿法腐蚀的时间为55～70s。

9.根据权利要求1所述的基于化学增强光刻胶及电子束曝光的掩模版的制造方法，其特征在于：步骤3)中，对所述正型化学增强光刻胶进行显影时，采用的转速为5～8rpm。

10.根据权利要求1所述的基于化学增强光刻胶及电子束曝光的掩模版的制造方法，其特征在于：步骤3)于步骤4)之间还包括步骤：对腐蚀后的图形光刻胶进行关键尺寸测量。