[发明专利]基于NAND闪存的阈值电压校验方法、装置和NAND存储设备

权利要求书

1.一种基于NAND闪存的阈值电压校验方法，应用于NAND存储设备，所述存储设备包括多条字线和多个NAND存储器单元，每条字线分别与对应的存储器单元连接，其中，所述字线包括虚拟字线和数据字线，每组数据字线与每组虚拟字线相对应，其特征在于，所述方法包括：

在对所选存储器单元进行擦除操作时，将所选存储器单元对应的数据字线上的擦除电压，加到与所述数据字线对应的虚拟字线上，以对该虚拟字线对应的存储器单元执行擦除操作。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述擦除电压加到与所述数据字线对应的虚拟字线上之后，所述方法还包括：

分别为加所述擦除电压的虚拟字线加验证电压，并验证与所述虚拟字线对应的存储器单元的阈值电压是否达到预设范围，其中，所述验证电压小于存储器单元的读取电压；

当验证出所述阈值电压没有达到所述预设范围时，在对所述所选存储器单元再次进行擦除操作时，继续将所选存储器单元对应的数据字线上的擦除电压，加到与所述数据字线对应的虚拟字线上；

重复执行上述操作，直到验证所述阈值电压达到所述预设范围为止。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述验证与所述虚拟字线对应的存储器单元的阈值电压是否达到预设范围包括：

基于所述验证电压对所述虚拟字线对应的存储器单元分别执行擦除验证操作；

根据所述擦除验证操作读到数据1时，验证出所述阈值电压已达到所述预设范围；

根据所述擦除验证操作读到数据0时，验证出所述阈值电压没有达到所述预设范围。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述验证的次数不大于所述存储器单元的预设擦除次数。

5.一种基于NAND闪存的阈值电压校验装置，应用于NAND存储设备，所述存储设备包括多条字线和多个NAND存储器单元，每条字线分别与对应的存储器单元连接，其中，所述字线包括虚拟字线和数据字线，每组数据字线与每组虚拟字线相对应，其特征在于，所述装置包括：

擦除电压施加模块，用于在对所选存储器单元进行擦除操作时，将所选存储器单元对应的数据字线上的擦除电压，加到与所述数据字线对应的虚拟字线上，以对该虚拟字线对应的存储器单元执行擦除操作。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

验证模块，用于在所述擦除电压施加模块将所述擦除电压加到与所述数据字线对应的虚拟字线上之后，执行如下操作：

分别为加所述擦除电压的虚拟字线加验证电压，并验证与所述虚拟字线对应的存储器单元的阈值电压是否达到预设范围，其中，所述验证电压小于存储器单元的读取电压；

当验证出所述阈值电压没有达到所述预设范围时，在对所述所选存储器单元再次进行擦除操作时，继续将所选存储器单元对应的数据字线上的擦除电压，加到与所述数据字线对应的虚拟字线上；

重复执行上述操作，直到验证所述阈值电压达到所述预设范围为止。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述验证模块包括：

验证电压施加单元，用于在所述擦除电压施加模块将所述擦除电压加到与所述数据字线对应的虚拟字线上之后，分别为加所述擦除电压的虚拟字线加验证电压；

验证单元，用于基于所述验证电压对所述虚拟字线对应的存储器单元分别执行擦除验证操作，并且根据所述擦除验证操作读到数据1时，验证出所述阈值电压已达到所述预设范围，根据所述擦除验证操作读到数据0时，验证出所述阈值电压没有达到所述预设范围；

验证结果处理单元，用于在所述验证单元验证出所述阈值电压没有达到所述预设范围时，控制所述擦除电压施加模块在对所述所选存储器单元再次进行擦除操作时，继续将所选存储器单元对应的数据字线上的擦除电压，加到与所述数据字线对应的虚拟字线上。

8.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述验证的次数不大于所述存储器单元的预设擦除次数。

9.一种NAND存储设备，所述存储设备包括固件、多条字线和多个NAND存储器单元，每条字线分别与对应的存储器单元连接，其中，所述字线包括虚拟字线和数据字线，每组数据字线与每组虚拟字线相对应，其特征在于，所述固件包括如权利要求5-8中任一项所述的基于NAND闪存的阈值电压校验装置。