[发明专利]一种降低硅基光波导侧壁粗糙度的方法有效
| 申请号： | 201710212517.0 | 申请日： | 2017-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN107132617B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 王桂磊;张严波;亨利·雷德森;李俊峰;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G02B6/13 | 分类号： | G02B6/13;G02B6/12 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 硅基光 波导 侧壁 粗糙 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种降低硅基光波导侧壁粗糙度的方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成硅基光波导线条；
对含有所述硅基光波导线条的衬底进行氢气退火，所述氢气退火的腔室压力为：20Torr-1atm；
所述氢气退火中通入刻蚀性气体，所述刻蚀性气体为氯化氢；
在所述氢气退火之前，对所述衬底进行RCA清洗处理；
所述氢气退火的时间为：10-300s。
2.根据权利要求1所述的降低硅基光波导侧壁粗糙度的方法，其特征在于，所述氢气退火的温度为：600-950℃。
3.根据权利要求1所述的降低硅基光波导侧壁粗糙度的方法，其特征在于，所述氢气退火的氢气流量为：20-180L/min。
4.根据权利要求1所述的降低硅基光波导侧壁粗糙度的方法，其特征在于，所述氯化氢的流量为：10-200sccm。
5.根据权利要求1所述的降低硅基光波导侧壁粗糙度的方法，其特征在于，所述RCA清洗处理采用的是含氢氟酸的溶液。
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