[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其中，包括：

受光部，其设置在具有第一导电型的半导体层的内部，且具有与所述第一导电型不同的第二导电型；

缓冲层，其设置在所述受光部的光射入侧，且具有所述第一导电型；

低折射率层，其设置在所述缓冲层的光射入侧，且具有比所述半导体层以及所述缓冲层的折射率低的折射率；以及

与所述缓冲层电连接的电极。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述缓冲层与所述受光部相接。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述缓冲层不与所述受光部相接而与所述半导体层相接。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述缓冲层由非晶硅或者多晶硅构成。

5.一种半导体装置的制造方法，其中，包括：

在具有第一导电型的半导体层的内部形成具有与所述第一导电型不同的第二导电型的受光部；

在所述受光部的光射入侧形成具有所述第一导电型的缓冲层；以及

在所述缓冲层的光射入侧形成具有比所述半导体层以及所述缓冲层的折射率低的折射率的低折射率层；以及

形成与所述缓冲层电连接的电极。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，

通过使用混合了材料气体与杂质气体的混合气体的气相生长法来形成所述缓冲层，其中，所述材料气体成为所述非晶硅的材料，所述杂质气体包含对所述非晶硅赋予导电性的杂质。

7.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，

形成所述缓冲层包含：

在所述受光部的光射入侧形成非掺杂的非晶硅层；以及

对所述非晶体硅层注入杂质来赋予所述非晶硅层导电性。

8.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，

还包括对所述缓冲层照射激光来使所述缓冲层所包含的杂质活化。

9.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述缓冲层由所述非晶硅或者多晶硅构成。