[发明专利]一种半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的多层半导体层，在所述多层半导体层上设置有有源区和位于所述有源区外部的无源区；

位于所述有源区内的栅极、源极和漏极；和

至少覆盖整个有源区并且包括散热材料的散热层；

位于所述多层半导体层面对所述散热层的一侧上的第一介质层，所述第一介质层至少形成在所述栅极和所述源极之间、以及所述栅极和所述漏极之间的所述多层半导体层上；

其中，所述栅极和所述源极之间、以及所述栅极和所述漏极之间的所述散热层位于第一介质层远离所述多层半导体层一侧，且所述散热材料包括氮化硼。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述散热层进一步延伸到所述无源区。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述散热层为单层氮化硼、双层氮化硼、多层氮化硼和氮化硼纳米片中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一介质层进一步延伸至所述无源区。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

位于所述第一介质层和所述散热层之间并覆盖所述栅极的第二介质层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

位于所述散热层的背离所述第一介质层的一侧上的第二介质层。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

位于所述源极背离所述散热层的一侧并且贯穿所述多层半导体层和所述衬底并在其中填充有散热材料的第一通孔。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，在所述第一通孔中填充的所述散热材料包括氮化硼。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

位于所述衬底的背离所述多层半导体层的一侧上的背面金属层。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，

所述第一通孔贯穿所述背面金属层，所述背面金属层覆盖所述第一通孔的通孔壁。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

位于所述无源区内并与所述源极电连接的源极焊盘；和

位于所述源极焊盘背离所述散热层一侧且贯穿所述多层半导体层和所述衬底并在其中填充有散热材料的第二通孔。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，在所述第二通孔中填充的所述散热材料包括氮化硼。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述多层半导体层包括：

位于所述衬底上的缓冲层；和

位于所述缓冲层上的势垒层，

其中所述势垒层和所述缓冲层形成异质结结构，所述源极、所述漏极和所述栅极均位于所述势垒层的表面上。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，还包括位于所述衬底和所述缓冲层之间的成核层。

15.根据权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，还包括位于所述势垒层的背离所述衬底的一侧上的帽层。