[发明专利]多孔氧化铝薄膜和Co纳米线/氧化铝复合薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201710214696.1 | 申请日: | 2017-04-01 |
公开(公告)号: | CN106917126B | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 杨淑敏;岂云开;顾建军 | 申请(专利权)人: | 河北民族师范学院 |
主分类号: | C25D11/14 | 分类号: | C25D11/14;C25D7/06;C25D5/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 赵志远 |
地址: | 067000 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多孔 氧化铝 薄膜 co 纳米 复合 及其 制备 方法 | ||
1.一种Co纳米线/多孔氧化铝复合薄膜的制备方法,其特征在于,所述Co纳米线/多孔氧化铝复合薄膜包括两片微观结构和物性相同的Co纳米线/多孔氧化铝复合薄膜,所述Co纳米线/多孔氧化铝复合薄膜的制备方法包括将Co纳米线沉积于多孔氧化铝薄膜的纳米孔洞中,且使得所述Co纳米线的密度沿径向递变分布;其中,沉积所述Co纳米线的偏转电场获得的方法为:
偏转电场通过对两个平行放置的碳片施加直流电压获得,且以平行两片氧化铝薄膜中心连线对称放置的碳棒作为沉积对电极,电化学沉积时,两片氧化铝薄膜与碳棒之间形成沉积电场;碳片的放置平行于两个沉积对电极中心的连线,两个平行放置的碳片加直流电压产生电场,使Co离子在沉积过程中发生偏转;偏转电场和沉积电场垂直;在偏转电场作用下,沉积到多孔氧化铝薄膜纳米孔洞中的Co纳米线密度沿径向递减分布,使得多孔氧化铝薄膜磁性沿薄膜径向递减;
其中,Co纳米线/多孔氧化铝复合薄膜的直径均为与偏转电场方向平行的直径,规定直径方向由偏转电场负电位指向正电位方向,且为Co纳米线/多孔氧化铝复合薄膜径向方向。
2.根据权利要求1所述的Co纳米线/多孔氧化铝复合薄膜的制备方法,其特征在于,所述两片氧化铝薄膜具有沿径向对称的微观结构;氧化铝薄膜表面分布有多个孔洞,薄膜孔深从一端沿径向递增;
所述两片氧化铝薄膜呈现相同虹彩条形结构色。
3.根据权利要求2所述的Co纳米线/多孔氧化铝复合薄膜的制备方法,其特征在于,所述两片氧化铝薄膜通过以下方法制备得到:(1)对铝箔进行预处理;(2)将经预处理后的两片铝箔作为阳极连同与该阳极平行的对电极置入电解液中进行电氧化;所述对电极为碳棒,所述预处理后的两片铝箔氧化时处于一个平面内,上下放置,且两个铝箔中心连线与对电极对称平行放置,两个铝箔中心距离为1.8~3cm,所述电解液为4.75~5.25wt%的磷酸。
4.根据权利要求3所述的Co纳米线/多孔氧化铝复合薄膜的制备方法,其特征在于,处理后铝箔与对电极碳棒之间的距离为4~6cm。
5.根据权利要求3所述的Co纳米线/多孔氧化铝复合薄膜的制备方法,其特征在于,所述电氧化的时间为20s~30min,所述电氧化的电压为100~140V,所述电氧化的电流为40~120mA。
6.根据权利要求5所述的Co纳米线/多孔氧化铝复合薄膜的制备方法,其特征在于,所述电氧化的电压为110~140V,电氧化的时间为20s~300s时制得条形虹彩结构色的氧化铝薄膜。
7.根据权利要求1所述的Co纳米线/多孔氧化铝复合薄膜的制备方法,其特征在于,所述Co纳米线/多孔氧化铝复合薄膜小于0.1μm,呈现饱和虹彩渐变结构色。
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