[发明专利]一种沟槽肖特基半导体装置在审
| 申请号： | 201710214910.3 | 申请日： | 2017-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN108666362A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体装置 肖特基 半导体材料 第一导电类型 反向击穿电压 器件可靠性 导通电阻 电荷补偿 反向偏压 降低器件 漂移层 多晶 制备 | ||
【权利要求书】：
1.一种沟槽肖特基半导体装置，其特征在于：包括：
衬底层，为高浓度杂质掺杂第一导电类型半导体材料构成；
漂移层，为第一导电类型半导体材料构成，位于衬底层之上；多个
沟槽，位于漂移层中，沟槽内壁设置有绝缘材料层，沟槽内下部设置有多晶第二导电类型半导体材料，沟槽内上部设置金属；
肖特基势垒结，位于沟槽之间漂移层表面；
上表面电极金属，位于上表面连接肖特基势垒结和沟槽内上部金属；
下表面电极金属，位于衬底层背部。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的沟槽内下部设置多晶第二导电类型半导体材料与漂移层第一导电类型半导体材料构成在反向偏压下形成电荷补偿。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的沟槽内上部设置金属为上表面电极金属。
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