[发明专利]改善钨金属层蚀刻微负载的方法

权利要求书

1.一种改善钨金属层蚀刻微负载的方法，包含有：

提供一半导体基底，具有一主表面，其中该半导体基底上具有多个沟槽；

在该半导体基底上全面沉积一钨金属层，并使该钨金属层填满该多个沟槽；

对该钨金属层进行一平坦化制作工艺，以于该钨金属层上形成一平坦化层；

进行一第一蚀刻步骤，完全蚀除该平坦化层及部分该钨金属层，其中该平坦化层及该钨金属层于该第一蚀刻步骤的蚀刻选择比为1：1；以及

进行一第二蚀刻步骤，继续蚀刻该钨金属层，直到该钨金属层的上表面低于该半导体基底的该主表面。

2.如权利要求1所述的方法，其中该平坦化制作工艺包括：

在提供一脉冲偏压条件下，以选自以下气体：C₄F₆、C₄F₈或SiCl₄/CF₄所形成的等离子体蚀刻该钨金属层，同时于该钨金属层上形成该平坦化层。

3.如权利要求2所述的方法，其中该脉冲偏压条件包括以下参数：脉冲频率13.56MHz，偏压功率bias＝100W，占空比DC＝20％。

4.如权利要求1所述的方法，其中该平坦化层为一高分子聚合物层。

5.如权利要求1所述的方法，其中在完成该第二蚀刻步骤后，该钨金属层的上表面于该多个沟槽中位于同一水平面。

6.如权利要求1所述的方法，其中该第一蚀刻步骤不提供脉冲偏压下，以SF₆及Ar所形成的等离子体蚀刻该平坦化层及该钨金属层。

7.如权利要求1所述的方法，其中该第二蚀刻步骤在提供脉冲偏压下，以SF₆及Ar所形成的等离子体蚀刻该钨金属层。