[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体层，具有突出到所述半导体层之外的鳍结构，其中，所述鳍结构包括第一部分和设置在所述第一部分上的第二部分；

介电层，设置在所述半导体层上方，其中，所述介电层围绕所述鳍结构的所述第一部分；以及

金属层，设置在所述介电层上方，其中，所述金属层围绕所述鳍结构的所述第二部分，其中，所述介电层的氮含量大于所述金属层的氮含量，

其中，所述介电层的所述氮含量作为远离所述鳍结构的距离的函数而变化，使得所述氮含量随着远离所述鳍结构的距离增加而升高，直到所述氮含量的峰值点出现在不与所述鳍结构的侧壁表面直接相邻的位置处，然后，所述氮含量随着远离所述鳍结构的距离增加而下降。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述介电层包括浅沟槽隔离件和氮氧化物层；

所述金属层包括鳍式场效应晶体管的金属栅电极，所述鳍式场效应晶体管具有小于30纳米的鳍间距；以及

所述鳍结构包括鳍式场效应晶体管的沟道。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属层没有氮。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述介电层中的所述氮含量相对于所述介电层内部的位置具有非线性分布。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，

所述非线性分布关于所述峰值点不对称；以及

所述鳍结构与所述峰值点的位置之间的距离在3纳米至8纳米的范围内。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，

所述介电层的位于所述鳍结构的第一侧上的第一部分是致密区的部分，所述第一侧面对另一鳍结构；

所述介电层的位于所述鳍结构的第二侧上的第二部分是异构区的部分，所述第二侧与所述第一侧相对；以及

所述介电层的所述第一部分和所述第二部分具有不同的氮含量分布。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中：在达到所述峰值点之后，所述致密区中的氮含量比所述异构区中的氮含量更快速地下降。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述鳍结构的所述第一部分具有比所述鳍结构的所述第二部分更大的侧面粗糙度。

9.一种半导体器件，包括：

半导体层，具有突出到所述半导体层之外的鳍结构，其中，所述鳍结构包括第一部分和设置在所述第一部分上的第二部分；

介电层，设置在所述半导体层上方，其中，所述鳍结构的所述第一部分嵌入在所述介电层内；以及

金属层，设置在所述介电层上方，其中，所述鳍结构的所述第二部分嵌入所述金属层内，并且其中，所述鳍结构的所述第一部分具有的第一侧面比所述鳍结构的所述第二部分的第二侧面更粗糙，

其中，所述介电层的氮浓度作为远离所述鳍结构的距离的函数而变化，使得所述氮浓度随着远离所述鳍结构的距离增加而升高，直到峰值点氮浓度出现在远离所述鳍结构的第一距离处，此后，所述氮浓度随着远离所述鳍结构的距离增加而下降。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，

所述介电层包括浅沟槽隔离件；

所述金属层包括鳍式场效应晶体管的金属栅电极，所述鳍式场效应晶体管具有小于30纳米的鳍间距；以及

所述鳍结构包括所述鳍式场效应晶体管的沟道。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述介电层具有比所述金属层更大的氮浓度。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中：

所述金属层不含氮。