[发明专利]氧化物半导体薄膜的制作方法及应用在审
| 申请号： | 201710218074.6 | 申请日： | 2017-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN108695136A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 吴绍静;张青;邵霜霜;陈征;崔铮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物半导体薄膜 电子墨水 制作 改性基 墨滴 氧化物薄膜晶体管 功能试剂 氧化物半导体 前驱体溶液 光刻工艺 疏水处理 退火处理 有效减少 粘度作用 真空设备 高像素 亲水性 最大化 背板 基底 源层 配制 印刷 应用 | ||
1.一种氧化物半导体薄膜的制作方法，其特征在于，包括：
对基底进行疏水处理，获得改性基底；
配制电子墨水：向氧化物半导体的前驱体溶液中加入功能试剂，获得电子墨水；其中，所述功能试剂兼具亲水性和提高粘度作用；
将所述电子墨水印刷在所述改性基底的表面，形成墨滴；
待所述墨滴干燥后，对所述墨滴进行退火处理，在所述改性基底上获得氧化物半导体薄膜。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述功能试剂为聚乙烯吡咯烷酮，所述聚乙烯吡咯烷酮的相对分子质量为40000或1300000。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，当所述功能试剂为相对分子质量为40000的聚乙烯吡咯烷酮时，在所述电子墨水中的功能试剂的物质的量浓度为0.1mg/mL～0.5mg/mL；
当所述功能试剂为相对分子质量为1300000的聚乙烯吡咯烷酮时，在所述电子墨水中的功能试剂的物质的量浓度为0.05mg/mL～0.5mg/mL。
4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述改性基底的接触角为48°～56°。
5.根据权利要求1-4任一所述的制作方法，其特征在于，所述氧化物半导体的前驱体溶液为金属硝酸盐的水溶液。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述金属硝酸盐的水溶液包括In(NO3)3水溶液、Ga(NO3)3水溶液、Zn(NO3)2水溶液中的至少一种。
7.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述氧化物半导体的前驱体溶液的浓度为0.01mol/L～0.05mol/L。
8.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述墨滴的干燥温度及退火温度均不低于200℃、且不高于氧化物半导体的前驱体的最高活化温度。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述墨滴的干燥温度及退火温度均为200℃～350℃。
10.一种氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物薄膜晶体管以采用如权利要求1-9任一所述的制作方法获得的氧化物半导体薄膜作为有源层。
11.一种氧化物薄膜晶体管的制作方法，包括：介质层的制作步骤、有源层的制作步骤、栅极的制作步骤、源极和漏极的制作步骤；其特征在于，在所述有源层的制作步骤中，以所述介质层作为基底，采用如权利要求1-9任一所述的氧化物半导体薄膜的制作方法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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